檢索結果：共34筆資料 檢索策略： "chemical mechanical polishing".ekeyword (精準)
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單晶碳化矽晶圓在LED照明及高功率元件市場的潛力極大，目前單晶碳化矽晶圓的製造過程面臨許多挑戰，其最重要為碳化矽之高硬度及高抗化學性特性造成在化學機械拋光(Chemical Mechanical P…
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摘要 本文旨在建立結合分子靜力學與變形理論，而提出分子靜力學是以莫氏力建立模擬系統，模擬CMP粒子的加工行為。本文對奈米加工參數設定方面，是利用六方最密排列的鑽石研磨粒切削完美面心立方體銅，應用二…
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本文主要研究發展一個CMP問題與決策的知識推論系統，用於八吋矽晶圓拋光、層間絕緣層、IC製程平坦化、金屬層和DRAM的拋光製程。系統採用本體論架構建構出相關的知識領域，再轉換成有用的工程資料庫，此資…
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電動汽車、再生能源及快速充電等高功率元件的應用矽功率元件已無法滿足市場需求，因此單晶碳化矽 (SiC) 相較於單晶矽具有高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率等特性較適合用於高功率元件，然而單晶碳化矽具有…
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在現今半導體晶片製程中，為達到更小的元件關鍵尺寸(Critical Dimension, CD)，化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)逐漸成…
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隨著科技的發展，大眾對於電子產品的需求越來越多樣化，其中具備可撓特性之電子產品是近年來的發展趨勢，為了使傳統的電子元件擁有可撓的功能，大多利用可撓性基板取代傳統硬基板，而因為白雲母(Muscovit…
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半導體製造規格不斷的縮小、以及堆疊層數增加的情況下，使得化學機械拋光製程(Chemical Mechanical Polishing, CMP)對臨界尺寸控制需更加要求，因此在製程終點控制面臨重大挑…
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本研究主要是探討化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP )加工硬脆材料－藍寶石晶圓(Sapphire wafer)基板的加工機制，利用含有 的拋光液與基板…
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本研究為探討搖臂式修整後拋光墊接觸面積對於CMP的影響，首先建立量測接觸面積之方法，接著探討修整與接觸面積之間的關係，利用拋光墊的粗糙度、承載面積比與接觸面積進行相關性分析，因為粗糙度與承載面積比經…
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在現今半導體晶片製程中，為了增加效能採用多層的電路設計，使得各層電路之平坦化製程相對重要，因此在半導體製程中化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CM…