檢索結果：共28筆資料 檢索策略： "Shyan-kay Jou".eadvisor (精準)
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本研究利用反應式濺鍍沉積摻鈷類鑽碳(Co-DLC) 薄膜，並將Co-DLC薄膜在350℃進行大氣退火30-90分鐘，得到Co、CoO、Co3O4和DLC組成之CoOx-DLC薄膜，藉由SEM、RAM…
2
本研究以石墨烯與二硫化錸為材料製作表面增強拉曼散射之基材(SERS)，本實驗以化學氣象沉積在銅箔上沉積石墨烯，並轉移至300nm之氧化矽基板，以石墨烯或氧化石墨烯為襯底並以化學氣象沉積生長二硫化錸（…
3
本論文研製以具有C軸（002）擇優取向的氧化鋅為壓電材料及以多孔性二氧化矽做為基材取代現今氣隙型的薄膜體聲波振盪器，其結構分別為上電極／氧化鋅壓電薄膜／下電極／多孔性基材。多孔性基材以球磨、混粉…
4
本研究利用反應式磁控濺鍍(Magnetron sputtering)系統配合高真空下的熱退火製程，成功製備出含有不同氮、氧濃度之氮氧化矽(SiOxNy)單層薄膜以及氮氧化矽/矽(SiON/Si)之多…
5
本研究使用磁控式濺鍍系統，在不需要額外的化學添加物，如化學還原劑、包覆劑、穩定劑等狀況下，利用離子溶液—1-n-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophospha…
6
本論文使用磁控式濺鍍沉積氧化鈰(CeO2)及摻雜釓與銀[(Gd2O3)x-(CeO2)1-x、Ag- CeO2]之氧化鈰固態薄膜電解質在氧化鋁基材上，後藉由熱處理後再濺鍍白金電極製備成電阻式氧氣感測…
7
本論文使用磁控式共濺鍍系統沈積Cu-SiO2複合薄膜，並探討含量相異的銅在薄膜內的析出及薄膜電性。實驗第一部分是以鋁片為基材沈積Cu-SiO2薄膜，再以XPS量測不同濺鍍條件下，銅在Cu-SiO2薄…
8
本研究聚焦以 α-氮化碳 (Alpha carbon nitride, α-C3N4) 作為介電層，應用於雙極電阻式記憶體 (Bipolar Resistive Random Access …
9
本研究利用共濺鍍系統沉積出TaN(Cu)的混合薄膜，並使用電漿氧化的方式直接氧化下電極製作出中間電阻層，之後再沉積出TaN薄膜當作上電極，製備出TaN/Cu-TaOx/TaN(Cu)的MIM三層結構…
10
本研究分為兩個部分，第一部分為使用反應式濺鍍法(Reactive sputtering)沉積摻釩之類鑽碳薄膜(V-DLC)，透過改變工作壓力調整V-DLC薄膜的表面形貌和結構，藉由SEM、R…