檢索結果：共32筆資料 檢索策略： "MoS2".ekeyword (精準)
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剝離法是從塊狀二硫化鉬製造薄層二硫化鉬的方法之一，其中以烷基鋰作為崁入劑的製備方法被認為是能大量製備薄層二硫化鉬的方法。在此論文中，我們嘗試了以鋰崁入法為主的各種製備法，藉由動態光散射分析可以鑑定製…
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奈米科技的發展為生醫領域帶來新革命，自從石墨希成功剝落並且應用於生醫領域，現今有許多二維材料備受矚目，例如:氮化硼、二硫化鉬，特別是層狀二硫化鉬具有獨特的性質。二硫化鉬是由單層二硫化鉬晶體堆疊而成，…
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本論文在探討利用化學氣相沉積法來成長二硫化鉬和二硫化鎢於石英和藍寶石基板上。利用拉曼散射，X射線衍射譜線，光致發光光譜和原子力顯微鏡的技術，來進行材料特性的檢測。X射線衍射譜線觀察到成長在藍寶石(0…
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本論文主要探討以化學氣相傳導法所成長的六方晶系二硫化鉬層狀半導體與不同功函數金屬之歐姆接觸。我們利用機械剝離法移除暴露在大氣中之層狀晶體表面的電子聚集層，使我們可以探討具有新鮮表面的二硫化鉬(fre…
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本研究探討了碳氮化硼-奈米碳管與奈米鑽石及二硫化鉬多層結構奈米材料之超級電容特性，並探討不同後處理方式對於碳氮化硼-奈米碳管之結構影響，後續利用氮氣退火的方式探討多層結構之變化及電化學特性。 此研…
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本論文使用兩種不同的二維材料之過渡金屬硫屬化合物MoS2與WSe2做異質接面的結合並進行探討其接面特性. 本論文以熱化學氣相沉積法方式, 利用固定比例的三氧化鎢與硒粉末, 三氧化鉬與硫粉末成長WSe…
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現今，二維原子級薄膜奈米材料的結合是相當重要的發展趨勢，特別是二維材料的異質接面更是目前新興發展重點。本計畫致力於將同為二維材料的石墨烯與過渡金屬硫化物做異質接面的結合並深入探討其接面特性，應用於二…
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本研究探討利用化學氣相沉積系統於二氧化矽/矽基板上成長二硫化鉬薄膜並分析其光電特性實驗中。分別利用熱蒸氣沉積以及熱蒸氣硫化兩種成長方法製備二硫化鉬薄膜。熱蒸氣沉積製備方法為將三氧化鉬粉末與硫粉在高溫…
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本研究以化學氣相沉積法，合成高品質石墨烯薄膜，並成功藉由石墨烯轉移支撐層作為鉬前驅物，直接成長二硫化鉬於石墨烯上，形成異質結構，應用於光催化二氧化碳還原。此成長方式和粉末作為前驅物的方法相比…
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近年來，藥物活性成分(API)被大量發現在人體及我們的生態系統，並且造成各種慢性以及急性的負面影響，已被現代的環境汙染議題所重視。而發展高敏感度，高選擇度及低檢測限制的監測方式是很重要的。在本文中，…