檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "Layered semiconductor".ekeyword (精準)
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本論文主要探討以化學氣相傳導法所成長的六方晶系二硫化鉬層狀半導體與不同功函數金屬之歐姆接觸。我們利用機械剝離法移除暴露在大氣中之層狀晶體表面的電子聚集層，使我們可以探討具有新鮮表面的二硫化鉬(fre…
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本論文探討以化學氣相傳輸法(CVT)成長的高品質六方晶系(2H)二硫化鎢(WS2) 層狀半導體之電傳輸及表面電子結構特性。經由機械剝離法將WS2晶體製作成具有原始表面(non-fresh surfa…
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本論文主要探討以化學氣相傳導法(CVT)所成長的六方晶系(2H) 二硒化鎢(WSe2)層狀半導體之奈米結構電傳輸特性。使用熱探針與的場效應電晶體(FET)量測法，確認此二硒化鎢單晶為P型半導體。並利…
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本研究主要探討以化學氣相傳輸法成長的層狀半導體二硒化鉬(MoSe2)之二維電傳輸特性。首先我們分別用拉曼光譜(Raman spectrum)和X光繞射(X-ray diffraction)量測，證實…
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本論文利用化學氣相傳導法成長二硫化鉛錫(PbSnS2)及三硫化鋯(ZrS3)晶體，並對晶體進行結構分析、光學及電學特性研究及探討。透過能量色散X射線光譜儀確認元素成分比例與理想值符合，接著使用X-r…
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二硒化錸(ReSe2)是一種獨特的過渡性金屬硫屬化合物層狀半導體，具有明顯的平面內非等向特性，可作為極佳的極化相依光電子元件材料。然而其二維奈米結構的基本電物理與光電導特性至今仍較少被研究，因此本論…
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本論文探討奈米多層結構的二硫化鉬(MoS2)層狀半導體之表面電子聚集效應及其電傳輸特性。本實驗利用機械剝離法產生MoS2奈米結構，發現其電導率與塊材相比高出幾個數量級。透過變溫電導率量測觀察到奈米結…
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本論文主要研究具有良好的發光特性材料，III-VI 族硒硫化鎵系列半導體GaSe1-xSx (0≤x≤1)，通過適當的硒硫成分變化來控制其光學特性，並分析放射螢光光譜以及區域掃描時間解析行為。在於這…
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本論文主要是探討量子侷限效應外層狀半導體具有不同厚度的二硫化鉬(MoS2)及二硫化鎢(WS2)奈米結構之電傳輸特性。研究結果發現利用簡單的機械剝離法所產生的奈米結構表現出比塊材晶體要高出了幾個數量級…
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