檢索結果：共17筆資料 檢索策略： "Hsien-Kuang Liu".ecommittee (精準)
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本研究首先以等效介質理論(Effective Medium Theory, EMT)、等效折射率理論(Effective Refractive Index Theory)及多層膜干涉理論(Multi…
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在化學機械平坦化 (Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)的製程當中，鑽石修整製通常用來修整拋光墊表面形貌以及維持工作能力，以確保製程中的…
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本研究主要是將化學機械拋光(Chemical Mechanical Planarization Process,CMP)拋光墊(Pad)與晶圓接觸之拋光墊粗度峰(Asperity)的彈性變形，由聚氨…
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本研究目的為下壓力對於軟拋墊表面微突起接觸面積的影響與材料移除率預測模型應用於銅薄膜化學機械拋光製程。實際方法使用X-ray電腦斷層掃描儀進行軟拋墊的微觀形貌掃描，再透過三維分析軟體組建軟拋墊的微觀…
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本研究延續蔡明城開發之動態量測拋光墊性能指標系統，透過彩色共軛焦感測器架設於CMP機台上，利用拋光機盤面旋轉與搖臂搖擺達到拋光墊大面積掃描，利用自製軟體分析其表面訊號，計算拋光墊非均勻度(PU)、壽…
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本研究探討混料式射出成形螺桿對聚乳酸(Polylactic Acid, PLA)和聚乳酸添加有機蒙脫土(Organic Montmorillonite, OMMT)複合材料的機械性質影響，以直接射出…
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隨著積體電路(Integrated Circuit, IC)迅速發展演進，晶圓上金屬導線之線寬隨科技發展越來越小，在微型化發展過程中，為達金屬導線線寬微小化之目的，則需進行高解析度之微影製程，晶圓表…
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精密單晶矽晶球可以透過計算同位素矽晶體中的原子數來確定亞佛加厥常數，在新制國際單位(New SI)中扮演重要的角色，但在精密球體的加工過程中，為了達到球體均勻地加工，必須瞭解球體於拋光製程中的運動狀…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)擁有高崩潰電壓、寬能隙及高熱傳導率之材料特性，因此像是電動車等高功率元件市場上有較大的需求，然而單晶碳化矽晶圓具有高硬度與高抗化學之材料性質…
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本研究之目的為設計研發依商用拋光墊溝槽及其經過磨耗後之尺寸PDMS材料翻模複製的透明溝槽，並與玻璃黏合為一體之觀測模型，經過相似性轉換計算後利用粒子影像測速法(Particle Image Velo…