檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "AAO".ekeyword (精準)
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本研究探討Al0.3In0.7Sb三元系統與InSb-In異質結構奈米線兩部份。首先，兩種奈米線的合成方法皆是通過使用真空液壓鑄造的方式來製備，鑄造用的前驅材料Al0.3In0.7Sb及InSb-I…
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本研究預期以永續之太陽能量作為光源，利用玻璃基板之光學特性以吸收部分紫外線；利用陽極氧化鋁之奈米多孔特性，使短波長光線發生散射損耗，並破壞光線之傳遞；以硫化鉛之光學可調控性濾除太陽能量偏高之光線，而…
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石墨烯具有優異導電性、熱傳導性與機械化學穩定性，近幾年已被廣泛運用於發光二極體中改善元件性能。如:石墨烯界面層可使用來降低元件內部插排缺陷密度，然而，石墨烯光穿透率隨其層數增加而下降，導入石墨烯將使…
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本研究利用陽極處理所得之陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide, AAO)作為模板，以真空壓鑄之方法製備鉛奈米線陣列，接著透過硫化處理獲得硫化鉛奈米線。利用不同種類之電解液包含硫酸、…
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本研究是將銻化銦塊材利用陽極氧化鋁模板(AAO)輔助真空液壓鑄造法製作一維結構奈米線，獲得奈米線與共聚物混和，應用於製備成有機場效電晶體(OFET)記憶體電荷儲存層。主要探討二個方向：(1)銻化銦塊…
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本研究以磁控濺鍍之方式，製作氧化白金(Oxide Platinum)、純白金(Pure Platinum) 以及共濺鍍Pt + YSZ 等三種不同電極於多孔性陽極氧化鋁(anodic aluminu…
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本論文研究的一維奈米材料包括Cu3Ge奈米線以及Cu3Ge-Ge異質結構奈米線。第一部分為製程，塊材的前置作業為分別取Copper和Germanium之粉末以特定之原子百分比組分封入石英管內，並以氫…
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本論文材料有三種，分別是Ge-Sn異質結構奈米線， Ge-Sb異質結構奈米線和GeSe2奈米材料，進行生長及元件的製程並探討對應電性表現。 第一部分為Ge-Sn異質結構奈米線，使用AAO並以壓力鑄造…
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本研究主要為次微米陽極氧化鋁(Anodic aluminum oxide, AAO)孔洞製作光學元件之研究，先進行氧化鋁微結構製程，再結合聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane ,…