檢索結果：共17筆資料 檢索策略： "非晶矽".ckeyword (精準)
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本研究為使用鋁金屬誘發結晶法於非晶矽薄膜中，經由加熱退火後促使非晶矽轉化成多晶矽，使用此方法之優點為可在簡易、低成本的製程中得到晶粒較大之多晶矽薄膜，其中誘發的製程若為操作在低溫下，又可稱為低溫鋁誘…
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目前多晶矽薄膜橫向長晶製程參數研究，大多採用嘗試錯誤的方法，透過實驗室實際製程來對每一個參數進行操控，並以此來瞭解各個參數對長晶的影響。然而橫向長晶的影響參數眾多，因此這樣的方法耗力而且耗時。由於多…
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本研究為在低溫製程下試圖將非晶矽轉換成多晶矽，多晶矽薄膜的形成方式眾多，直接沉積型的有化學氣相沉積法，或是再結晶型的包含固相結晶法、準分子雷射在結晶法、鋁誘發法等等，但大多都需要搭配高溫的製程。為了…
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本論文以平板式電漿輔助化學氣相沉積系統為基礎，分為兩部分：第一部份為成長低介電係數薄膜，實驗採用一矽烷偶合劑γ-glycidoxypropyl-trimethoxysilane(γ-GPS)及辛氟甲…
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本論文第一部分探討金屬鋁層與氫化非晶矽層接合後， 在低溫下鋁擴散進入非晶矽層形成 p 型膜的現象。研究發現， 當擴散溫度 200℃、擴散時間大於 30 分鐘，p 型膜層呈現微 晶化的結構，其導電率可…
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本研究主要利用低溫、低電漿密度的UHV-PECVD系統成長太陽能電池的i層鈍化層，其材料種類有a-Si:H、a-SiOx:H、a-SiNx:H及a-SiCONx:H，並使用金屬遮罩搭配獨立腔體聯結式…
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氧化銦鍚(indium tin oxide, ITO)在可見光範圍具有量好的導電性及透光性，因此在光學元件上常利用ITO來增加載子的傳導與收集。以單晶矽太陽能電池為例，除了可以做為透明導電層之外，還…
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本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術，作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示，沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數如基材溫度、反應壓力及甲烷摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以設計出非晶…
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數反應壓力及三甲基硼(TMB)摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以探求非晶…