檢索結果：共28筆資料 檢索策略： "電特性".ckeyword (精準)
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本研究為使用強誘電性液晶CS-1024。並研究不同性質的聚亞醯胺配向膜(polyimide AL-28,AL-58)對強誘電性液晶光電物性的影響。探討不同配向膜對應答時間、轉換電流行為及V型光電行為…
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本論文主要研究B2O3-SiO2-BaO-ZnO玻璃與BaTi4O9微波介電陶瓷之低溫共燒行為，實驗中固定B2O3-SiO2-BaO含量，探討ZnO添加含量變化時，對整個材料系統之共燒行為產生的結果…
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本論文主要為改變彎曲液晶的連接基用以測量物性以及光電性質，這些化合物分別為: (1) 1,3-phenylenebis[4-(4-tetradecanoyl oxybenzoyloxybenzoat…
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本論文使用化學氣相傳導法合成層狀過渡金屬硫屬化物ReSe2，並且利用氧電漿摻雜的方式將其製作成同質接面pn二極體，將其應用於半波整流及光感測元件。利用拉曼光譜儀分析其晶格振動模態之變化，並分別以X光…
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本論文使用學長製作出的氮化鎵光電晶體光偵測器，量測出其暗電流(Dark current)、外部量子效應(EQE)、計算出響應率、響應時間、響應的雜訊以及不同光強度下的電壓訊號。量測的元件為n-p-i…
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本研究中所使用的金屬硫化物陶金靶材是由本實驗室熱壓機自行壓製而成，利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下能夠成功地製備出具高電催化特性之Ag/MoSx薄膜。實驗中，探討靶材中不同Ag含量比例，不同硫化物與…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本研究是將銻化銦 (InSb) 塊材利用陽極氧化鋁 (AAO) 模板輔助真空壓鑄法製備一維結構奈米線，再將單根奈米線製備成熱電量測元件，以量測其熱電性質。使用陽極氧化鋁奈米模板作為鑄造模具，將預先熔…