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  • 檢索結果:共14筆資料 檢索策略: "金氧半場效電晶體".ckeyword (精準)


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    1

    橫向式功率金氧半場效電晶體之研究
    • 電子工程系 /103/ 碩士
    • 研究生: 廖昱勛 指導教授: 莊敏宏
    • 功率金氧半場效電晶體是重要的分立元件。其元件特性包含低導通功率損耗、高輸入組阻抗、快速切換,以及承受大電壓及電流。其元件特性可作為開關使用,主要應用在功率轉換、整流、線路保護等,以電子產品來說用途相…
    • 點閱:336下載:12

    2

    次零點一微米金氧半場效電晶體之設計
    • 電子工程系 /93/ 碩士
    • 研究生: 楊智翔 指導教授: 莊敏宏
    • 在過去50年來,隨著墨爾定律不停微縮電晶體。我們希望電晶體微縮到達每一個技術世代時,都能使得電路操作速度更快,同時具有更高的電路積極度。不過,隨著電晶體不停的微縮,要如何確保元件的可靠度以及功率損耗…
    • 點閱:411下載:2

    3

    以塊體矽基板形成之垂直式功率金氧半場效電晶體
    • 電子工程系 /110/ 碩士
    • 研究生: 游甘玉 指導教授: 莊敏宏
    • 隨著5G世代快速的發展和對於節能的重視,許多的事物逐漸邁向自動化,使得功率積體電路的應用逐漸廣泛。功率金氧半場效電晶體具有元件尺寸小、低導通電阻值、高切換速度以及可承受大電壓及大電流等優點。 現在市…
    • 點閱:158下載:0
    • 全文公開日期 2025/06/14 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    4

    鰭式橫向功率金氧半場效電晶體之研究
    • 電子工程系 /110/ 碩士
    • 研究生: 簡欣慈 指導教授: 莊敏宏
    • 隨著市場發展和科學技術進步,功率元件對於半導體產業已經是不可或缺的存在。本論文研究主題是廣泛應用高壓領域的LDMOS,由於LDMOS具有出色的熱穩定性、高增益、高效率開關、能夠承受高擊穿電壓和高工作…
    • 點閱:173下載:0
    • 全文公開日期 2025/06/14 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    5

    Sb-InSb奈米線製備暨InSb及InSe奈米線電性研究
    • 材料科學與工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 張肯睿 指導教授: 王秋燕
    • 本論文,對半導體奈米材料研究分為三個部分,分別為InSb 奈米線之金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M…
    • 點閱:260下載:0
    • 全文公開日期 2025/08/25 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    6

    鰭式結構之橫向雙擴散功率金氧半場效電晶體
    • 電子工程系 /109/ 碩士
    • 研究生: 關正群 指導教授: 莊敏宏
    • 電子產品的發展日新月異,使得功率積體電路的應用越來越廣泛。 功率金氧半場效電晶體具有高輸入阻抗、高切換速度、小的元件尺寸、以及可承受大電壓和大電流的優點,因此是最常應用在功率積體電路的元件之一。 然…
    • 點閱:441下載:0
    • 全文公開日期 2024/06/08 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    7

    蔽蔭遮罩圖案畫製作多晶矽薄膜電晶體反相器
    • 電子工程系 /97/ 碩士
    • 研究生: 黃伯庭 指導教授: 葉文昌
    • 本研究成功以蔽蔭遮罩圖案化製程製作多晶矽薄膜電晶體和多晶矽反相器,所製作的p型與n型薄膜電晶體其通道長和寬分別為30和80 μm,載子移動率分別為12.19和6.5 cm2/V-s,ION/IOFF…
    • 點閱:201下載:1

    8

    以無接面金氧半場效電晶體觸發之絕緣閘極雙極性電晶體
    • 電子工程系 /107/ 碩士
    • 研究生: 江任祐 指導教授: 莊敏宏
    •   此篇論文提出了以無接面金氧半場效電晶體觸發之功率橫向絕緣閘極雙極性電晶體。傳統的絕緣閘極雙極性電晶體中,藉由導通元件的PN二極體,進而有效的降低漂移區的串聯電阻,即為傳導調變效應。但這種功率元件…
    • 點閱:431下載:0
    • 全文公開日期 2024/07/06 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    9

    以無接面金氧半場效電晶體觸發之薄膜絕緣閘極雙極性電晶體
    • 電子工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 江衍坊 指導教授: 莊敏宏
    • 近年來,由於電子產品以及電力交通工具的蓬勃發展,使得功率積體電路的應用越來越廣。絕緣閘極雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)同時具有高電流與高…
    • 點閱:408下載:0
    • 全文公開日期 2025/06/15 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    10

    貫穿差排對4H-SiC功率元件漏電效應之探討
    • 化學工程系 /109/ 碩士
    • 研究生: 陳廷維 指導教授: 洪儒生
    • 本研究針對碳化矽磊晶層中普遍存在的貫穿差排缺陷對功率元件漏電流的影響進行探討,透過對兩種常見的功率元件-蕭特基二極體(SBD)與金氧半場效電晶體(MOSFET)做為測試對象,以數量級超過數十至百顆的…
    • 點閱:305下載:3