檢索結果：共113筆資料 檢索策略： "趙良君".ccommittee (精準)
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本研究利用以三氮化氫(HN3)為氮原子源之化學束磊晶系統(CBE)成長氮化銦(InN)於氧化銦錫(ITO/Glass)和藍寶石(C-plane sapphire)基板上，並研究其光學性質。 多晶氮化…
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本論文主要是探討具有奈米尺寸厚度的多層二硒化鉬(MoSe2)層狀半導體(Semiconductor)撕之電傳輸特性，實驗上利用機械剝離(Mechanical Exfoliation)的方式製作不同厚…
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透明導電薄膜(Transparent Conductive Oxides ，簡稱TCO)近二十年成為了半導體產業常用到的材料。由於同時具備透光性以及導電性，可以應用各種光電產業元件。目前最常使用的透…
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複晶矽(polysilicon)薄膜電晶體(TFT)技術對主動式矩陣液晶顯示器而言是一種新興的關鍵技術，它提供了將主動矩陣及驅動電路整合在同一基板上的可能性。然而，傳統的自我對準型(self-ali…
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層狀單晶半導體Mo1-xWxSe2屬於過渡性金屬雙硫屬化合物(Transition-metal-dichalcogenides) 簡稱TMDCs，層與層之間僅有微弱的凡得瓦爾作用力 (Van der…
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由於染料敏化太陽能電池之電子電洞對是由受光激發之染料所產生，因此增加染料敏化太陽能電池之光電轉換效率最有效的方法即為增加其陽極之導電性及可用的表面積。為了增加染料的吸附面積，本實驗利用垂直配向之奈米…
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針對使用DC做為電源的Sputter在(100)方向的矽晶圓上所沉積的非晶矽薄膜，以高溫爐600°C的退火方式，在充滿氮氣的環境之下對非晶矽薄膜進行固態磊晶成長，並且分別以R-HEED(反射式高能電…
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本論文利用熱化學氣相沉積法於碳布上合成奈米碳管。為了增強奈米碳管的場電子發射特性，本研究利用硝酸的化學改質處理，移除奈米碳管頂部的金屬觸媒。不同硝酸處理時間的奈米碳管的場發射特性皆被量測。結果顯示，…
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由於應用範圍非常的廣泛，複晶矽(polysilicon)薄膜電晶體(TFT)已經被研究很多年，例如記憶體、主動示液晶顯示器和數位相機等，原因是低溫複晶矽薄膜電晶體具有很高的電子移動率(field e…
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本論文以化學氣相傳導法並利用三氯化碘為傳導劑成長InSe和In6Se7硒化銦系列半導體，對此系列晶體進行晶體結構分析，並藉由光學及電學量測對其特性加以研究及討論。 藉由能量質譜儀量測確定成長材料之元…