檢索結果：共398筆資料 檢索策略： "薄膜".ckeyword (精準)
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中文摘要 本論文利用電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD) 沉積矽薄膜於自組裝單分子薄膜(SAM)改質後的玻璃基板，並使用AFM、SEM觀察矽薄膜的表面形態受到不同形式（長鏈、短鏈、環狀）自…
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現今薄膜機械性質分析，多著重於硬度、彈性系數和附著性質等，而薄膜在製作或是使用過程中若產生破裂，會嚴重影響薄膜性能，因此破裂韌性(fracture toughness)亦為薄膜相當重要的機械性質之一…
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自組裝單分子膜 (self-assembly monolayer, SAM) 為近年來受到廣泛探討及應用之技術。 本研究使用帶 Synechocystis sp.PCC6803 cphA …
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本論文之主要研究為利用自組裝單分子層薄膜 ( SAM ) 修飾有 機薄膜電機體元件的氧化銦錫 ( ITO ) 電極表面;藉由不同官能基之 自組裝單分子層薄膜分子成長於氧化銦錫( ITO ) 基板…
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本研究以VNbMoTaW高熵合金靶材分別跟Al靶材和CrB2合金靶材進行共濺鍍，並將薄膜進行300、500、800 度一小時高溫氧化測試，探討鋁或鉻、硼元素增加對VNbMoTaW高熵合金薄膜的影響。…
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本論文將以Pentacene及Tetracene作為主動層材料，並分為兩部分來作探討，第一部分為製作成有機薄膜電晶體，元件的第一層主動層為Pentacene(70 nm)，第二層為Tetracene…
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此研究利用接觸角量測儀以及X光電子能譜儀驗證阻擋層對於圖案化ITO玻璃基板具有良好選擇性，從而有效阻止矽烷基團與ITO表面進行鍵結，而利用移除試劑移除後，電極功函數與原先之差異並不大。並探討兩種相反…
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於本論文中，我們探討不同交流訊號參數之非晶矽薄膜電晶體 (amorphous silicon thin film transistors) 在閘極 (gate) 交流與汲極 (drain) 交流電壓…
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本論文研究主要分為兩大部分，第一部份以Ni-YSZ碟型基材作為陽極支撐(anode-supported)，第二部份以YSZ碟型基材作為電解質支撐(electrolyte -supported)，利用…
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本研究，主要探討以自組裝單分子薄膜改質有機薄膜電晶體元件中不同的表面區域對於元件電性的影響。使用電晶體的結構為頂部閘極與底部接觸結構(Top-gate, Bottom contact)，其中ITO源…