檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "蕭特基".ckeyword (精準)
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目前對於低伏數交換式電源供應器的電路應用來說，大家最關注的是如何去改善其傳統蕭特基整流器的特性。其整流特性希望是降低順向導通電壓以及能夠快速的順逆向切換。蕭特基整流器的順向導通電壓能夠藉由蕭特基能障…
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石墨烯僅有原子級的厚度且不佔有體積，比表面能相當高，屬於半導體材料及具有極高的載子遷移率，氣體吸附的電荷轉移靈敏度高，對於製作成元件同時兼具傳輸層與感測層的特殊性質，對於各種分子的吸附具有相當的優勢…
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近年來隨著製程技術的進步使得元件之通道長度可以持續微縮來提高晶片運算速度。但是當通道長度進入深次微米甚至奈米等級後，短通道效應越來越嚴重。例如:Vt roll off、DIBL、 ，Punch th…
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本研究分為兩部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物以化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯，並以石墨烯作為比較，探討其性質是否不同。我們以拉曼光譜、TEM、XPS、UV-Vis分析其材料特性，在拉曼光譜中的分…
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隨著產品需求的演變,元件不斷微縮,通道長度也隨之變小,短通道效應(SCE)引起元件的漏電流增加並使得導通(ION)與截止(IOff)的電流比降低。為了改善短通道效應,我們選用 FINFET 結構…
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此研究主要為三部分，第一部分是透過化學氣相沉積方式且利用加熱帶加熱聚二甲基矽烷之前驅物生長出矽摻雜石墨烯，與純石墨烯作為比較，探討其性質。石墨烯以Raman光譜、UV-vis光譜以及XPS進行分析。…
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本研究分為兩階段，第一階段以Cu(B)薄膜作為硼源，以化學氣相沉積法製備硼摻雜石墨烯，並以純石墨烯做為比較，探討其性質差異。由拉曼光譜、UV-vis光譜、XPS能譜分析其材料特性。於拉曼光譜可以觀察…
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本實驗利用氣相傳輸法在氧氣環境下以金屬鋅顆粒為蒸發源，製備出鋅-氧化鋅核殼結構奈米線。此核殼結構其內層鋅直徑約為53 nm，外層包覆一層厚度約7.5 nm的氧化鋅，並沿[112 ‾0]方向成長。經過…
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本研究針對碳化矽磊晶層中普遍存在的貫穿差排缺陷對功率元件漏電流的影響進行探討，透過對兩種常見的功率元件-蕭特基二極體(SBD)與金氧半場效電晶體(MOSFET)做為測試對象，以數量級超過數十至百顆的…
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本論文針對碳化矽磊晶層中存在之缺陷進行表徵及生長機制的探討，並透過製作不同尺寸大小之蕭特基二極體，藉由元件電性量測後再對其進行缺陷的反向工程分析，微觀探討元件磊晶層中各種型態缺陷對元件特性之影響，並…