檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "自我修復".ckeyword (精準)
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本論文是有關CAM-based SRAM自我修復電路之設計與驗證，相關研究工作包含下列四大部分： 第一部分為探討內建自我修復電路之結構，並在分析內建自我測試與故障植入電路後，發展出一個SRAM內建自…
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自我修復材料能透過外界的刺激來修復因機械損傷引起的裂紋，具有增加材料安全性、延長使用壽命及節省翻新成本等優點。聚氨酯 (Polyurethane, PU)為具有軟硬分子鏈的區段共聚物，物性多變從剛硬…
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隨著製程技術發展，單一晶片上電晶體數目越來越多，導致積體電路發展速度逐漸緩慢，利用矽穿孔技術的三維積體電路提供了有效的方式可以解決此問題，可以縮短訊號傳輸的距離、使晶片密度降低及提高晶片整體效能。由…
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自我修復NAND型快閃記憶體是近年被提出的新硬體技術，相對於傳統NAND型快閃記憶體經過多次讀寫而造成的寫穿狀態，自我修復NAND型快閃記憶體可以透過高溫使電子離開隧道氧化物讓電晶體可以重新儲存電子…
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快閃記憶體為具有低功耗、可擴充性、高效能等優點的非揮發性記憶體，使其成為消費性電子產品中常見的儲存元件，像是固態硬碟、手機和筆記型電腦等產品。快閃記憶體的儲存方式是將電子儲存至浮閘中，隨著製程的進步…
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錯誤修正碼與內建自我修復 (BISR) 技術被廣泛的用來改善記憶體良率與可靠度。而這兩個技術主要處理的錯誤與瑕疵分別為永久瑕疵 (硬錯誤) 與軟錯誤。在過去有許多研究探討如何使用錯誤修正碼與 BIS…
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隨著半導體製程技術的進步，系統晶片 (SOC) 中使用的嵌入式記憶體容量與密度越來越高，而導致記憶體故障更容易發生。因此，記憶體的良率很大程度決定系統晶片的良率。單一位元故障占所有故障形態比例最高，…
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近年來，錯誤修正碼 (ECC) 技術與內建自我修復 (BISR) 技術皆被廣泛地使用來提升記憶體的良率與可靠度。錯誤修正碼技術以及內建自我修復技術主要分別用來處理軟錯誤與硬錯誤。而在過去有許…
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動態隨機存取記憶體 (Dynamic Random Access Memory, DRAM) 由於其高密度、使用壽命長與低成本等優點經常被廣泛使用於現代電子產品上，而隨著製程的進步，記憶體的良率(Y…
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快閃記憶體具有可擴充、低功耗、高效能等優點，使其廣泛地存在於消費性電子產品中；隨著製程演進，不斷增加的資料密度使儲存資料的雜訊容忍範圍縮小，導致快閃記憶體的良率與可靠度下降。因此，我們需要探討更加高…