檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "積體化".ckeyword (精準)
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本論文探討將三五族雷射與矽光子積體電路進行複合積體化的兩項關鍵技術：一為研究晶片黏合，另一則為使用晶圓代工廠製作雷射的特性與可行性分析。晶片黏合是利用二乙烯基矽氧烷-雙苯並環丁烯 (DVS-B…
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本論文研製積體化紫外光感測器與LED警示燈。所使用的晶圓為商用氮化鎵晶圓，經由光罩設計與利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，達到選擇性地將部分最上層的p-GaN反轉成n-GaN，使…
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓，利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN，使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構，在同一…
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本論文研究積體化氮化鎵發光二極體與光偵測器模組的電路設計與特性量測。量測本實驗室積體化製程製作的兩種光偵測器(p-i-n結構以及n-p-i-n結構光電晶體)的特性包括暗電流、外部量子效率、在不同偏壓…
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本論文主要之研究為利用量子井混合效應來設計製作雷射與電 吸收調變器共平面結構之積體化元件，使其能運用在高速的光通訊系 統中。主動層材料為磷砷化銦鎵（InGaAsP）的材料。發光波段主要 設計在155…
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本研究利用標準Bulk CMOS製程中高解析度離子佈植與多層金屬連接層的特性，實現積體化背部電極太陽能電池，選擇0.18、0.35μm CMOS製程中的N-well/P-substrate接面區域設…
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本論文主要之研究為雙量子井結構的積體化技術，所積體化之元件為分佈反饋式(DFB) 雷射與電致吸收調變器(EAM)，由於將此兩元件進行積體化的優點在於兩者均為光通訊系統中具備重要功能的特性元件，如進行…
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本論文主要利用雙量子井結構將各光學主被動元件積體化，所積體化之元件包含分佈反饋式雷射（DFB）及電致吸收調變器（EAM）的結合，並利用多模干涉耦合器將波長分別為1.58 μm及1.6 μm之雙雷…
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本論文主要之研究為利用雙量子結構分別設計與製作電致吸收調變器結合半導體雷射及反射式電致吸收調變器結合半導體光放大器之光積體化元件，使其分別能運用在光纖通訊系統中的頭端及用戶端。主動層材料利用兩組具壓…
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本論文研製積體化氮化鎵發光二極體與監控發光強度的光偵測器，量測其發光二極體基本光電特性、p-i-n光偵測器基本光電特性、p-i-n光偵測器室溫下暗電流以及在與發光二極體不同距離下p-i-n光偵測器所…