檢索結果：共18筆資料 檢索策略： "氮化鋁".ckeyword (精準)
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本論文分為兩部分，第一部分探討不同氮氣流量下成長之氮化鋁，其晶粒大小對漏電流的影響。第二部分探討探討不同厚度的氮化鋁鈍化層，其等效固定電荷 Qeff、絕緣層陷阱電荷密度Not 以及介面缺陷密度Dit…
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本論文使用磁控式濺鍍法控制鉑金屬薄膜，利用濺鍍條件控制鉑電極的方向性做為氮化鋁薄膜成長的底電極基材。實驗的第一個部分是以矽基材與玻璃基材使用不同比例的氬氣與氮氣反應式濺鍍出氮化鋁薄膜。探討氮氣比例對…
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本研究目的在於設計一陶瓷膜取代LIGA製程中所使用的高分子光阻，實驗初期以薄膜電阻率為首要考量條件，篩選現有的商用陶瓷鍍層，並選用薄膜電阻率最高的氮氧化鈦薄膜與次高的碳氮化鉻薄膜作為取代高分子光阻之…
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為探究使用反應式真空濺鍍機製備氮化鋁銦鎵薄膜的制程，與分析此制程下沉積之薄膜的性質。此論文設定兩組不同鋁銦比例的靶材，一組靶材包含摩爾百分比固定5%鋁，銦含量從7.5%、15%、25%的三個陶金靶，…
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本篇論文乃以不同氮源先驅物為原料的冷壁式低壓化學氣相沈積法，探討在不同基材上異質成長氮化鋁薄膜的相關議題。首先，單一分子先驅物三乙基胺•鋁烷(TEAA)的長膜在500oC的高溫下，會成長出以碳化鋁(…
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具有線柵薄膜偏光片(Wire grid polarizer film, WGF)的白光晶片直 接封裝(Chip-on-board, COB)發光二極體(Light emitting Diodes, …
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本篇論文呈現了氮化鋁緩衝層結構之於石墨烯/藍寶石基板上製備高品質氮化鎵薄膜的重要性。本文使用低壓化學氣相沉積法（LPCVD）在在藍寶石基板上成長石墨烯。首先會在兩吋藍寶石基板上蒸鍍一層銅膜以便於獲取…
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本研究主要係以不同體積含量之氮化硼及混摻入不同體積含量之氮化鋁為填充材，以2,2-Bis(3-amino-4-hydroxy-phenyl)hexafluoropropane與4,4’-Oxydip…
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本論文的研究方向主要在探討添加絕緣導熱、導電導熱填料於矽橡膠（Silicone rubber）中複合化及針對離子性高分子改質矽橡膠兩個部份，以探討絕緣導熱、導電導熱填料複合化及離子性高分子改質對…
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本研究主要以聚矽氮烷(polysilazane，PSZ) 包覆於氮化鋁(AlN)粉末表面，分別利用空氣(air)、氬氣(Ar)、氮氣(N2)和氨氣(NH3)不同氣體環境在700和1600 oC溫度下…