檢索結果：共36筆資料 檢索策略： "氧化銦".ckeyword (精準)
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金屬氧化物半導體薄膜電晶體（Oxide-TFT）由於其高載子遷移率、高可見光透明性、大面積均勻性、低溫製成及低漏電流…等，於近年來常被應用於大尺寸面板甚至是攜帶型產品中作為驅動或是補償電路的元件使用…
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在本論文中我們使用射極-濺鍍沉積參鎢氧化銦以及氫化氧化銦之透明導電膜，期望能利用該等材質較高的功函數以及光學透過特性應用於矽晶異質接面太陽能電池的製作上，以獲得較佳電池轉換效率之表現。實驗結果顯示，…
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本研究利用射頻電漿濺鍍沉積氧化銦錫(ITO)薄膜於水溶性高分子polystyrene sulfonate (PSS)上，以翻膜轉印之技術將ITO薄膜轉移至有機高分子材料表面，作為有機光電元件之透明電…
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本研究主要為兩個部分:第一部分使用DC磁控濺鍍法於室溫環境下，在玻璃基板與PC、PET、COC不同塑膠基板上沉積氧化銦錫薄膜，藉由量測分析探討不同基板上氧化銦錫之電氣與光學特性及薄膜組成與結構。第二…
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本實驗使用離子束濺鍍法在玻璃基板上沉積氧化銦錫薄膜，利用改變基板溫 度及退火溫度來觀察薄膜特性的變化，分別使用室溫、100 及200℃來沉積薄膜。 在室溫下沉積未退火的ITO 薄膜呈現非晶結構，當薄…
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摘要 本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上，在室溫狀態下，分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離，來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加，氧氣的低濺…
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在顯示科技方面上，金屬氧化物半導體因擁有較高的均勻度利於大面積製程、可低溫製程、較低的製程費用等優點，因此被視為現今最具潛力的薄膜電晶體材料。場效載子遷移率扮演影響薄膜電晶體電特性好壞一很重要的腳色…
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金屬氧化物薄膜電晶體一般都採用下閘極上接觸式的結構，以防止TFT-LCD的背光源照射到通道層材料進而影響其電特性。另外在此下閘極結構中，因為要考慮到光罩間對位的誤差，而將其汲極和源極設計成與閘極各有…
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一般而言，薄膜電晶體使用黃光微影製程來進行圖案化以防止柵極漏電流，但是該方法不適合用於溶液製程的薄膜電晶體。我們開發了一種簡單快速的方法，透過旋轉塗佈自組裝單分子來製造具有低柵極漏電流的薄膜電晶體。…
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