檢索結果：共25筆資料 檢索策略： "拋光墊".ckeyword (精準)
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拋光墊的物性和表面性質會強烈的影響到平坦化加工的效果和效率。除了物性和表面性質外，拋光墊的溝槽設計亦是重要的一環。良好的溝槽圖案具有增進拋光液的利用率、調整拋光液層、排除平坦化後的殘餘物和調整拋光墊…
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況，因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除，維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…
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本研究 之目的 為 研發線上量測軟拋墊之 磨耗率 (Pad Wearing Rate, PWR)與 性能指標應用於化學機械拋光之製程 透過 先前 開 發之動態量測 拋光墊性能指標系統 以 自行研發 …
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化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization, CMP)已成為積體電路製程之關鍵技術，其中拋光墊(Polishing Pad)在整個CMP製程中扮演相當重要的角…
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本研究目的為建立搖臂式拋光墊修整之數位雙生系統，整合搖臂控制模組及動態量測模組透過Modbus通訊協議連接實體搖臂與應用程式，可收集搖臂之實時資料，並透過彩色共軛焦感測器架設於搖臂上，以近似阿基米德…
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在化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/ Polishing, CMP)製程中，需要鑽石修整器來維持拋光墊表面之穩定性，而拋光墊表面形貌會直接影響…
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本研究目的主要在進行後段導線製程 (Back End of Line, BEOL)中，銅導線的化學機械拋光之化學能與機械能佔比分析。由銅膜晶圓、鉭膜晶圓之化學機械拋光製程實驗，藉由集合式電錶即時觀測…
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本研究延續蔡明城開發之動態量測拋光墊性能指標系統，透過彩色共軛焦感測器架設於CMP機台上，利用拋光機盤面旋轉與搖臂搖擺達到拋光墊大面積掃描，利用自製軟體分析其表面訊號，計算拋光墊非均勻度(PU)、壽…
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化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/Polishing, CMP)製程在半導體製程中對於積體電路的製造品質有著舉足輕重的影響，將鑽石修整技術應用…
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本研究主要在建構用於化學機械平坦化拋光之拋光墊表面形貌分析，自行研發設計一款雷射共軛焦三維表面形貌掃描儀，並開發對拋光墊形貌分析之專用程式。主要方法為將雷射共軛焦儀架設於龍門線性馬達平台，回授平台X…