檢索結果：共44筆資料 檢索策略： "場效電晶體".ckeyword (精準)
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本研究以真空即時量測探討各單分子層的五環素薄膜電晶體電性，發現在高真空下極薄的一個約1.57 nm單分子層時已有場效遷移率產生。隨著膜厚增加、表面覆蓋性上升，場效遷移率也隨之大幅增進直至3.2個分子…
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功率金氧半場效電晶體是重要的分立元件。其元件特性包含低導通功率損耗、高輸入組阻抗、快速切換，以及承受大電壓及電流。其元件特性可作為開關使用，主要應用在功率轉換、整流、線路保護等，以電子產品來說用途相…
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在過去50年來，隨著墨爾定律不停微縮電晶體。我們希望電晶體微縮到達每一個技術世代時，都能使得電路操作速度更快，同時具有更高的電路積極度。不過，隨著電晶體不停的微縮，要如何確保元件的可靠度以及功率損耗…
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當傳統金氧半元件微縮化至深次微米製程,新的可靠性問題產生了。這其中包含了短通道效應、熱載子效應、閘極引起汲極漏電流。穿透式場效電晶體在高度微縮化時可以提供較小的短通道效應、小的熱載子效應、小的閘極引…
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隨著電子產業的演進,傳統的金氧半元件將面臨微縮化後產生的一些可靠度問題,例如短通道效應、熱載子效應、閘極引起汲極漏電流。由於穿透式場效電晶體的工作原理與傳統金氧半元件有所不同,因此在高度微縮化後,較…
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隨著5G世代快速的發展和對於節能的重視，許多的事物逐漸邁向自動化，使得功率積體電路的應用逐漸廣泛。功率金氧半場效電晶體具有元件尺寸小、低導通電阻值、高切換速度以及可承受大電壓及大電流等優點。 現在市…
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隨著電子產業的進步，傳統型金氧半電晶體在尺寸微縮化之後面臨一些可靠度問題，例如短通道效應、熱載子效應、汲極引起位障降低效應、閘極引起汲極漏電流效應。然而，穿隧型場效電晶體的工作原理與傳統金氧半元件有…
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隨者電子產業的進步，傳統型金氧半電晶體在微型化之後面臨一些可靠度問題，例如短通道效應、熱載子效應、閘極引起位障降低效應。穿隧型場效電晶體在高度微型化可以提供較小的短通道效應、小的熱載子效應以及降低閘…
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本研究中，使用流化床反應器設備來製備出WS2無機奈米管。利用化學氣相沉積法來合成WS2奈米管會受到很多因素影響，包含了不同的H2S流速、不同的反應溫度，以及添加石英載台來改善反應爐內部流場，使氣流在…
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隨著市場發展和科學技術進步，功率元件對於半導體產業已經是不可或缺的存在。本論文研究主題是廣泛應用高壓領域的LDMOS，由於LDMOS具有出色的熱穩定性、高增益、高效率開關、能夠承受高擊穿電壓和高工作…