檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "反應式濺鍍".ckeyword (精準)
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法在矽(100) 基板上沉積氧化鋅掺雜鋁薄膜,利用改變基板溫度、鋁摻雜含量來觀察薄膜特性的改變,分別使用200℃、100℃及室溫來成長薄膜。200℃沉積之晶粒大小最大約為9…
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本研究分為兩個部分,第一部分為使用反應式濺鍍法(Reactive sputtering)沉積摻釩之類鑽碳薄膜(V-DLC),透過改變工作壓力調整V-DLC薄膜的表面形貌和結構,藉由SEM、R…
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為了實現塑膠基板薄膜電晶體的目標,我們成功地利用反應式濺鍍的方式來沉積對351nm波長具備0~56000cm-1吸收係數之SixNy半透光膜,並配合熱滯留輔助結晶技術,在塑膠基板上開發出超低溫多晶矽…
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本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極,以取代昂貴之白金(Pt)作為電極,並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy,製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…