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  • 檢索結果:共19筆資料 檢索策略: "化學氣相傳導法".ckeyword (精準)


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    1

    CuMP2S6 (M=In,Cr)層狀化合物之晶體成長與特性研究
    • 光電工程研究所 /108/ 碩士
    • 研究生: 胡薰方 指導教授: 趙良君 何清華
    • 本論文化學氣相傳導法(CVT)成長CuMP2S6 (M=In ,Cr)系列之含磷硫屬化合物晶體,此系列晶體材料能隙涵蓋甚廣,可從紫外光至紅外光,因此現今有許多研究學者對此系列材料極為有興趣並加以研究…
    • 點閱:178下載:0
    • 全文公開日期 2025/01/06 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/01/06 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/01/06 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    2

    鉛和鋯之硫屬化合物半導體PbSnS2及ZrS3之單晶成長與特性研究
    • 應用科技研究所 /110/ 碩士
    • 研究生: 林映萱 指導教授: 何清華
    • 本論文利用化學氣相傳導法成長二硫化鉛錫(PbSnS2)及三硫化鋯(ZrS3)晶體,並對晶體進行結構分析、光學及電學特性研究及探討。透過能量色散X射線光譜儀確認元素成分比例與理想值符合,接著使用X-r…
    • 點閱:183下載:0
    • 全文公開日期 2027/08/23 (校內網路)
    • 全文公開日期 2027/08/23 (校外網路)
    • 全文公開日期 2027/08/23 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    3

    銀和銅之層狀鉍化硒代磷酸鹽化合物之晶體成長與特性研究
    • 電子工程系 /111/ 碩士
    • 研究生: 許佑勛 指導教授: 何清華 李奎毅
    • 本論文的研究重點在於利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport, CVT) 成長金屬鉍化硒代磷酸鹽之化合物 AgBiP2Se6和CuBiP2Se6,並探討其材料結構、光學…
    • 點閱:196下載:0
    • 全文公開日期 2028/08/15 (校內網路)
    • 全文公開日期 2028/08/15 (校外網路)
    • 全文公開日期 2028/08/15 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    4

    硒化銦單晶之成長及光學特性研究
    • 電子工程系 /100/ 碩士
    • 研究生: 林建豪 指導教授: 黃鶯聲 何清華
    •   本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport method,CVT)成長硒化銦系列晶體,目前成功成長出α-In2Se3層狀單晶, 之後進行晶體結構與光學特性分析。…
    • 點閱:293下載:27

    5

    鉿的過渡金屬二硫化物半導體之晶體成長與特性研究
    • 應用科技研究所 /111/ 碩士
    • 研究生: 鄒羽寅 指導教授: 何清華
    • 本論文利用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport, CVT)成長過渡金屬二硫屬化物(Transition Metal Dichalcogenides, TMDCs)之二硒化…
    • 點閱:212下載:0
    • 全文公開日期 2028/08/26 (校內網路)
    • 全文公開日期 2028/08/26 (校外網路)
    • 全文公開日期 2028/08/26 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    6

    ReS2-xSex (x = 0, 1, 2) 之晶體成長與光電導特性研究
    • 電子工程系 /106/ 碩士
    • 研究生: 劉鎮維 指導教授: 李奎毅 趙良君
    • 本論文使用化學氣相傳導法合成層狀過渡金屬硫化物ReS2-xSex (x = 0, 1, 2),並將其製作成光感測元件,透過化學氣相傳導法能夠合成出不同比例之 ReS2-xSex,使用拉曼光譜儀分析其…
    • 點閱:310下載:3

    7

    硫化鎵之晶體成長及光學特性研究
    • 應用科技研究所 /101/ 碩士
    • 研究生: 陳欣宏 指導教授: 何清華
    • 本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical vapor transport method, CVT) 成長硫化鎵晶體,目前成功成長出Ga2S3晶體,之後進行晶體結構與光學特性分析。藉由能量散佈儀 …
    • 點閱:406下載:25

    8

    硫化鍺之晶體成長及特性研究
    • 應用科技研究所 /105/ 碩士
    • 研究生: 李嘉軒 指導教授: 何清華
    • 中文摘要 本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…
    • 點閱:567下載:2

    9

    硒化銦摻雜物系列半導體 InSe:Ag, InSe:Zn與TlInSe2之晶體成長與光學特性研究
    • 應用科技研究所 /109/ 碩士
    • 研究生: 張瑜恩 指導教授: 何清華
    • 點閱:227下載:0
    • 全文公開日期 2026/08/26 (校內網路)
    • 全文公開日期 2026/08/26 (校外網路)
    • 全文公開日期 2026/08/26 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    10

    鉬鎢輕摻雜之二硫化鉬鎢晶體成長與特性研究
    • 光電工程研究所 /103/ 碩士
    • 研究生: 張家榮 指導教授: 黃鶯聲 李奎毅
    • 本研究論文是以化學氣相傳導法利用碘 (I2) 為傳導劑成長鉬鎢輕摻雜之二硫化鉬鎢 (Mo1-xWxS2, 0 ≤ x ≤ 0.1; 0.9 ≤ x ≤ 1, Δx = 0.02) 系列層狀單晶半導體…
    • 點閱:218下載:2
    • 全文公開日期 2020/08/26 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)