檢索結果：共23筆資料 檢索策略： "劉顯光".ccommittee (精準)
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本研究利用多孔質陽極氧化鋁（Porous Anodic Alumina, PAA）製程以8吋鍍鋁矽晶圓(Wafer Based Aluminum)為基板，製作大尺寸之次波長結構(Sub Wavele…
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在化學機械平坦化 (Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)的製程當中，鑽石修整製通常用來修整拋光墊表面形貌以及維持工作能力，以確保製程中的…
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本研究主要是將化學機械拋光(Chemical Mechanical Planarization Process,CMP)拋光墊(Pad)與晶圓接觸之拋光墊粗度峰(Asperity)的彈性變形，由聚氨…
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本研究首先以等效介質理論(Effective Medium Theory, EMT)、等效折射率理論(Effective Refractive Index Theory)及多層膜干涉理論(Multi…
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本研究目的為下壓力對於軟拋墊表面微突起接觸面積的影響與材料移除率預測模型應用於銅薄膜化學機械拋光製程。實際方法使用X-ray電腦斷層掃描儀進行軟拋墊的微觀形貌掃描，再透過三維分析軟體組建軟拋墊的微觀…
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本研究延續蔡明城開發之動態量測拋光墊性能指標系統，透過彩色共軛焦感測器架設於CMP機台上，利用拋光機盤面旋轉與搖臂搖擺達到拋光墊大面積掃描，利用自製軟體分析其表面訊號，計算拋光墊非均勻度(PU)、壽…
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本研究探討混料式射出成形螺桿對聚乳酸(Polylactic Acid, PLA)和聚乳酸添加有機蒙脫土(Organic Montmorillonite, OMMT)複合材料的機械性質影響，以直接射出…
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單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料，因此在高功率元件市場上有較大之需求，然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質，使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…
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隨著科技日新月異地進步，從今日的12吋晶圓至未來即將進入的新世代18吋晶圓，半導體產品已成為人類的生活不可或缺之必需品，並隨著曝光微影的線寬持續降低，化學機械平坦化已成為半導體製程中關鍵的技術。而製…
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隨著積體電路(Integrated Circuit, IC)迅速發展演進，晶圓上金屬導線之線寬隨科技發展越來越小，在微型化發展過程中，為達金屬導線線寬微小化之目的，則需進行高解析度之微影製程，晶圓表…