檢索結果：共80筆資料 檢索策略： "劉舜維".ccommittee (精準)
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本研究成功合成兩系列新的主鏈型三苯胺電致變色材料，由新的二胺單體分別與不同二酸進行聚縮合反應合成3與6系列之聚醯胺。這些新合成的聚醯胺高分子薄膜皆有高的玻璃轉移溫度(236~276 oC)，於氮氣環…
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金屬氧化物半導體薄膜電晶體具有較高的載子遷移率、良好的均勻性、低製程溫度和低漏電流等優點，在透明大尺寸面板、可撓型裝置以及驅動和補償電路元件方面具有廣泛應用前景。然而，下一代高解析度和高更新率顯示器…
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在過去幾年,主動式有機發光二極體(AMOLED)顯示器做為顯示器產業的主流,其擁有著相比傳統液晶顯示器更高的對比度、更廣的視角、快速的反應時間、自發光等優點。然而隨著市場需求不斷的發展和技術的迭代,…
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本論文使用Pentacene作為有機薄膜電晶體的主動層兼吸光層，並分為兩個主軸來做探討，第一主軸為製作高響應度之近紅外光光感測有機薄膜電晶體，透過於Pentacene上方沉積ClAlPc和C…
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金屬氧化物半導體薄膜電晶體（Oxide-TFT）由於其高載子遷移率、高可見光透明性、大面積均勻性、低溫製成及低漏電流…等，於近年來常被應用於大尺寸面板甚至是攜帶型產品中作為驅動或是補償電路的元件使用…
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In this study, top gate solution processed indium gallium zinc oxide (IGZO) thin film transistor is…
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本研究以真空即時量測探討各單分子層的五環素薄膜電晶體電性，發現在高真空下極薄的一個約1.57 nm單分子層時已有場效遷移率產生。隨著膜厚增加、表面覆蓋性上升，場效遷移率也隨之大幅增進直至3.2個分子…
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本論文以Bis(3,5-di(9H-carbazol-9-yl) phenyl)diphenylsilane，SimCP2作為主體材料，以濕式製程製作單層高效率藍光OLED元件。由於SimCP2具備…
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此研究利用接觸角量測儀以及X光電子能譜儀驗證阻擋層對於圖案化ITO玻璃基板具有良好選擇性，從而有效阻止矽烷基團與ITO表面進行鍵結，而利用移除試劑移除後，電極功函數與原先之差異並不大。並探討兩種相反…
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一般而言，薄膜電晶體使用黃光微影製程來進行圖案化以防止柵極漏電流，但是該方法不適合用於溶液製程的薄膜電晶體。我們開發了一種簡單快速的方法，透過旋轉塗佈自組裝單分子來製造具有低柵極漏電流的薄膜電晶體。…