檢索結果：共13筆資料 檢索策略： "二硫化鎢".ckeyword (精準)
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本論文分為三部分，第一部分探討二硫化鎢剝落機制以及將其奈米片與超奈米鑽石摻雜為複合材料，並對其做光特性分析，接著探討不同水熱時間對二硫化鎢摻雜鑽石奈米片之品質，並對其做物性及電性分析;第二部分將不同…
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本論文探討以化學氣相傳輸法(CVT)成長的高品質六方晶系(2H)二硫化鎢(WS2) 層狀半導體之電傳輸及表面電子結構特性。經由機械剝離法將WS2晶體製作成具有原始表面(non-fresh surfa…
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近年來，過渡金屬硫族化合物如二硫化鉬(MoS2)、二硫化鎢(WS2)等單層之二維半 導體材料，因具有獨特的光電特性並在單層時導電性最佳，在層狀的應用受到了學術界 的高度重視，成為當前研究的熱點材料之…
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二維 (2D) 過渡金屬二硫屬化物 (TMDs) 已成為下一代納米電子學的有希望的候選者。然而，二維TMDs材料的大面積、高質量和優異穩定性的生長仍然是一個很大的挑戰。在這項工作中，我們提出了一種單…
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本論文使用化學氣相傳輸法 (Chemical vapor transport, CVT) 以碘為傳導劑成長W(SxSe1-x)2 (0 ≤ x ≤ 1, Δx = 0.2和x = 0.5) 系列層狀…
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本論文研究以簡單及低成本的製程技術製備高響應值的氫氣感測元件，內文分為四個部分。第一部分為不同濃度及縮短製程時間的氧化鋅奈米柱(ZNR)之氫氣感測特性及分析；第二部分則是以前面氧化鋅奈米柱之氫…
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自2004年石墨烯被證實能單獨穩定的存在於自然界中，為世人開啟了名為二維材料領域的序幕，而擁有半導體能隙特性的過渡金屬二硫族化物(Transition Metal Dichalcogenides)包…
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本論文主要是探討量子侷限效應外層狀半導體具有不同厚度的二硫化鉬(MoS2)及二硫化鎢(WS2)奈米結構之電傳輸特性。研究結果發現利用簡單的機械剝離法所產生的奈米結構表現出比塊材晶體要高出了幾個數量級…
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論文主要探討表面電洞聚集效應在二硫化鎢(WS2)層狀半導體單晶光電導特性上的作用。實驗上透過比較具有原始表面(Non-fresh surface)與新撕表面(Fresh surface) WS2單晶…