檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "二硒化鎢".ckeyword (精準)
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在本研究中二硒化鎢是一種p型半導體，它擁有良好的光電特性，例如載子遷移率和光響應度。不過在半導體的元件應用當中，需要有n型材料與p型材料搭配。因此，本研究中我們透過氧電漿對二硒化鎢進行處理，因為材料…
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本論文主要探討以化學氣相傳導法(CVT)所成長的六方晶系(2H) 二硒化鎢(WSe2)層狀半導體之奈米結構電傳輸特性。使用熱探針與的場效應電晶體(FET)量測法，確認此二硒化鎢單晶為P型半導體。並利…
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本論文使用兩種不同的二維材料之過渡金屬硫屬化合物MoS2與WSe2做異質接面的結合並進行探討其接面特性. 本論文以熱化學氣相沉積法方式, 利用固定比例的三氧化鎢與硒粉末, 三氧化鉬與硫粉末成長WSe…
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本論文使用化學氣相傳輸法 (Chemical vapor transport, CVT) 以碘為傳導劑成長W(SxSe1-x)2 (0 ≤ x ≤ 1, Δx = 0.2和x = 0.5) 系列層狀…
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本論文利用熱化學氣相沉積系統在藍寶石基板上成長單層二硒化鎢，由光學顯微鏡及掃描式電子顯微鏡觀察樣品的表面型態，接著利用原子力顯微鏡和拉曼散射光譜確認樣品及厚度，再用X光電子能譜儀確認成分比例. 由於…
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本論文使用化學氣相傳導法(Chemical vapor transport, CVT)成長二硫化鉬(Molybdenum disulfide, MoS2)以及二硒化鎢(Tungsten disele…
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層狀單晶半導體Mo1-xWxSe2屬於過渡性金屬雙硫屬化合物(Transition-metal-dichalcogenides) 簡稱TMDCs，層與層之間僅有微弱的凡得瓦爾作用力 (Van der…