檢索結果：共12筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="異質結構"
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本研究主要分別以3:7的鋅-銻系統與2:3的銻-硫系統探討。第一部份，使用陽極氧化鋁模板的液壓鑄造處理製造異質結構的銻與銻化鋅(ZnSb)高序化奈米線陣列，而將塊材組份配在共晶組份，藉由壓鑄可將材料…
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本實驗首先利用熱氧化法400˚C製備出氧化銅奈米線，接著以熱蒸鍍法將氧化鋅沉積到氧化銅奈米線上，形成異質結構，經過不同的退火時間，探討其光伏特性的應用。在FESEM的結果顯示出，氧化鋅將氧化銅奈米線…
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本研究主要為銅-鍺合金的奈米線材料的製程、材料微結構分析和電性量測表現。分為兩大主題，Cu3Ge和Cu3Ge/Ge材料系統。第一部分為金屬線的Cu3Ge，在Cu3Ge的系統中在熔點以下和熔點…
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本文成功地藉由預先合成的晶種進行製備異質結構量子點。其反應機制利用 Ag2S 或是Cu2S 奈米晶體當作晶種，後續加入第二種金屬陽離子在晶種表面進行 沉積或離子交換反應，藉以合成出多種異質結構量子點…
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本論文將以 Pentacene 作為主動層兼吸光層搭配 SubPc、C60 作為其餘之吸光材料， 補足能夠於全可見光波段的光吸收效果，且利用三者間造成的能階差，來提升光電參數。 第一部分，為了要讓 …
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本研究以化學氣相沉積法，合成高品質石墨烯薄膜，並成功藉由石墨烯轉移支撐層作為鉬前驅物，直接成長二硫化鉬於石墨烯上，形成異質結構，應用於光催化二氧化碳還原。此成長方式和粉末作為前驅物的方法相比…
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本研究探討Al0.3In0.7Sb三元系統與InSb-In異質結構奈米線兩部份。首先，兩種奈米線的合成方法皆是通過使用真空液壓鑄造的方式來製備，鑄造用的前驅材料Al0.3In0.7Sb及InSb-I…
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由於應用範圍非常的廣泛，複晶矽(polysilicon)薄膜電晶體(TFT)已經被研究很多年，例如記憶體、主動示液晶顯示器和數位相機等，原因是低溫複晶矽薄膜電晶體具有很高的電子移動率(field e…