檢索結果:共14筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="材料移除率"
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本研究利用線放電加工切削多晶鑽石 (Polycrystalline diamond),並設計夾持治具配合操作參數進行切削。在L18田口實驗 (Taguchi method) 中,操作參數區間為開路電…
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本研究目的為探討二氧化矽顆粒於化學機械研磨/平坦化(CMP)製程中的加工機制。研究方法是將直徑為800奈米的二氧化矽顆粒黏著於探針尖端,形成顆粒式探針(tip-grit),與運用封閉式回饋控制系統原…
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本實驗目的在於研究輔助電極 (A6061T6) 以串聯夾持目標工件 (SKD11) 的方式,在線放電加工 (WEDM) 時,將輔助電極的移除材料以鍍附 (Coating) 或合金化 (Alloyin…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)在功率元件市場的潛力極大,但單晶碳化矽基板因高硬度及抗化學性等特質,造成製造過程面臨加工時間冗長等問題。本研究主要研究4H單晶碳化矽基板的研…
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隨著時代的進步,航空產業發達,航太製造的重要性也隨之提升,鈦合金因具有高的強度、高的耐熱性及良好的耐蝕性等特點,被廣泛運用在航太產業,但也因其特性導致加工不易,進而使加工成本高昂,因此如何透過提升加…
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近年來由於環保意識抬頭,可達節能減碳目的之LED照明因此快速發展,做為LED照明鍍膜基板的單晶藍寶石晶圓也因此受到重視及探討。然而,單晶藍寶石晶圓為硬度相當高(莫氏硬度9)之硬脆材料,其平坦化之加工…
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在半導體積體電路製程中,局部拋光液膜中奈米粒子磨粒之動能在化學機械拋光過程中扮演重要角色。本研究使用電致動力技術 (Electro-Kinetic Force, EKF)配合高精密拋光機,利用電雙層…
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隨著高功率電子元件的發展,因應效能的提升勢必產生更多熱能,為了避免高溫對元件的可靠度及運作帶來影響,多晶氮化鋁因具有高熱導率、高絕緣性及低成本,適合作為高功率電子元件的散熱基板。然而,多晶氮化鋁基板…
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本研究使用線電極放電,用以切削多晶鑽石材料,並製作鑽石刀 具。再以線電極加工,對此刀具進行銳利化,同時對材料移除率、表 面粗糙度、刀尖半徑以及波動層進行最佳化之研究。此製程為鑽石線 鋸用以成形刀片及…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC),具有高崩潰電壓(High Breakdown Voltage)及低的阻抗, 因此在高功率元件市場的潛力無窮,但單晶碳化矽基板也因高硬度及高…