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石墨烯為原子級二維薄膜,擁有高比表面積及高載子遷移率等特性,可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜,因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
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本論文使用化學氣相傳導法(Chemical vapor transport, CVT)成長二硫化鉬(Molybdenum disulfide, MoS2)以及二硒化鎢(Tungsten disele…