檢索結果：共5筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="快速熱退火"
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受到地球能源日漸缺乏及環境保護意識崛起，京都議定書也強烈限制各國的二氧化碳排放量。因此潔淨的再生能源越來越受到重視，其中太陽能更為研發重點之一，矽晶基板所使用之單晶、多晶基板主要製作技術為複線式線鋸…
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本論文中分為兩個部份，第一個部份我們利用本實驗室自行架設的中空陰極化學氣相沉積(Hollow Cathode Chemical Vapor Deposition)系統，在低溫下沉積薄膜，找出最佳製程…
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本研究之一是利用FePd鍍料以熱蒸鍍之方式，將薄膜分別鍍在170 μm厚之矽基板上，使成長為單層、厚度為75 nm之連續薄膜。再利用快速熱退火將連續薄膜在500oC下分別持溫 ( 0、10、15、2…
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在本論文中，我們研究快速熱退火與多通道結構合併製程與鈍化技術對於多晶矽薄膜電晶體之影響，並提供一新穎的畫素補償電路與驅動方法。首先，我們研究快速熱退火與多通道結構合併製程對於薄膜電晶體電氣特性之改善…
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本論文主要探討奈米鑽石薄膜藉由不同後處理方式以及摻雜氮與未摻雜之特性分析，並使用EGFET架構應用於氫離子感測器，後續進行pH靈敏度量測以及探討靈敏度與奈米鑽石薄膜之間的關聯性。 實驗內容主要是…