檢索結果：共35筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="奈米線"
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摘要 半導體光催化過程在降解有機污染物具有極大潛力，同時具有低成本和環境友善等優勢，正已引起全世界的關注。由於快速的電荷載體復合導致現有的材料效率並不理想，為了克服上述問題，已開發出具有異質結構的光…
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本研究主要分別以3:7的鋅-銻系統與2:3的銻-硫系統探討。第一部份，使用陽極氧化鋁模板的液壓鑄造處理製造異質結構的銻與銻化鋅(ZnSb)高序化奈米線陣列，而將塊材組份配在共晶組份，藉由壓鑄可將材料…
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本實驗首先利用熱氧化法400˚C製備出氧化銅奈米線，接著以熱蒸鍍法將氧化鋅沉積到氧化銅奈米線上，形成異質結構，經過不同的退火時間，探討其光伏特性的應用。在FESEM的結果顯示出，氧化鋅將氧化銅奈米線…
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利用熱蒸鍍法經由VLS成長機制在爐管內成長硒化鋅奈米線，以硒化鋅粉末作為前驅物置於管內，2、5及10奈米金薄膜的(100)矽基板做為成長基板，利用金顆粒作為成核催化點，使奈米線經由VLS成長機制生長…
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二氧化錫(SnO2)是一種知名的n-type半導體其應用範圍非常廣泛，而其奈米線(nanowires)由於擁有一維奈米材料的特殊性質非常適合進行研究，本實驗的二氧化錫奈米線是藉由熱蒸鍍法(therm…
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在此篇研究中，利用熱蒸鍍法經由VLS及VS成長機制在爐管內擺放鍍上金膜的矽基板上成長氧化鋅奈米線，而氧化鋅粉混合碳粉當作前驅物。藉由控制成長溫度、前驅物溫度、成長壓力、前驅物的量、成長時間、成長位置…
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本研究是將銻化銦 (InSb) 塊材利用陽極氧化鋁 (AAO) 模板輔助真空壓鑄法製備一維結構奈米線，再將單根奈米線製備成熱電量測元件，以量測其熱電性質。使用陽極氧化鋁奈米模板作為鑄造模具，將預先熔…
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本論文著重探討二氧化錫(tin oxide, SnO2)奈米線之光電導特性與其傳輸機制。在計算光電導增益(photoconductive gain, Γ)的部分，我們可透過3.0 V的低偏壓便量測出…
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本研究將Cu-Ge二元過共晶合金利用陽極氧化鋁(AAO)輔助模板真空液壓鑄造法，可以獲得Cu3Ge/Ge兩種材料順序相接且界面清晰的Cu-Ge合金奈米線異質結構。第一步使用高純度鋁片(99.999％…
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本論文主要研究目的為利用分子動力學，探討鈦奈米線分別在[-12-10]、[0001]方向及鈦奈米板材在[-12-10]方向的拉伸，並以不同應變速率和板材厚度等條件，探討其降伏機理、流動應力及破斷模式…