檢索結果：共12筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="化學氣相沉積法"
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本論文利用氧氣吸附於石墨烯表面造成其內部之載子濃度改變來獲得p型半導體特性的石墨烯。實驗中，利用熱化學氣相沉積法製作石墨烯，並利用氮電漿對石墨稀進行摻雜，以C-N的鍵結讓石墨烯的半導體特性由p型轉變…
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本論文使用兩種不同的二維材料之過渡金屬硫屬化合物MoS2與WSe2做異質接面的結合並進行探討其接面特性. 本論文以熱化學氣相沉積法方式, 利用固定比例的三氧化鎢與硒粉末, 三氧化鉬與硫粉末成長WSe…
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本論文在探討利用化學氣相沉積法來成長二硫化鉬和二硫化鎢於石英和藍寶石基板上。利用拉曼散射，X射線衍射譜線，光致發光光譜和原子力顯微鏡的技術，來進行材料特性的檢測。X射線衍射譜線觀察到成長在藍寶石(0…
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本論文研究主要在於利用水平式高溫爐化學氣相沉積法成長氮化鎵及其相關的一維奈米線材料。在氮化鎵奈米線的成長上，主要使用乙醯丙酮鎵(III)(Gallium(III) acetylacetonate)與…
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最理想化的六角形陣列之奈米碳管束使用熱化學氣相沉積法合成，為了增強奈米碳管的電子場發射特性，針形狀的二氧化釕與錐形狀的氧化鋅奈米結構分別使用金屬有機化學氣相沉積法與熱化學氣相沉積法成長於奈米碳管的表…
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本篇論文主要研究方向在使用以醋酸鋅為蒸發源的化學氣相沉積法製作氧化鋅薄膜。以不同的氣體當載氣（氧氣和氬氣）和控制不同成長溫度來製造氧化鋅薄膜於矽基板上。薄膜分析以掃描電子顯微鏡、X光繞射譜線、拉曼散…
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近年來，二維層狀材料因為其獨特的物理與化學特性而廣受關注，其中，過渡金屬硫化物已經在過去幾年中被探索，並且在光電領域中展現了優異的特性。在本實驗中，我們透過化學氣相沉積法分別於二氧化矽基板上成長n型…
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本研究以化學氣相沉積法，合成高品質石墨烯薄膜，並成功藉由石墨烯轉移支撐層作為鉬前驅物，直接成長二硫化鉬於石墨烯上，形成異質結構，應用於光催化二氧化碳還原。此成長方式和粉末作為前驅物的方法相比…
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自2004年石墨烯被證實能單獨穩定的存在於自然界中，為世人開啟了名為二維材料領域的序幕，而擁有半導體能隙特性的過渡金屬二硫族化物(Transition Metal Dichalcogenides)包…
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本研究目的在於利用化學氣相沉積以低溫製程下分別在玻璃、藍寶石、n型氮化鎵磊晶板以及p型氮化鎵磊晶板成長低電阻率且具有光學散射特性之粗糙表面摻鎵氧化鋅薄膜，以期望取代氧化銦錫作為藍光發光二極體之透明導…