檢索結果：共19筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="化學氣相傳導法"
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本論文使用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport, CVT)並以碘(I2)作為傳導劑，成長硒化鍺(GeSe)與碲化鎵(GaTe)層狀半導體。針對此晶體進行能量散射光譜儀…
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本論文將研究高導電度硫屬化合物之傳輸特性，首先，我們使用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport，CVT）並以碘作為傳導劑成長二硫化鈦(TiS2)與二硒化鈦(TiSe…
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本論文利用氧氣吸附於石墨烯表面造成其內部之載子濃度改變來獲得p型半導體特性的石墨烯。實驗中，利用熱化學氣相沉積法製作石墨烯，並利用氮電漿對石墨稀進行摻雜，以C-N的鍵結讓石墨烯的半導體特性由p型轉變…
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本論文利用化學氣相傳導法成長出硫化錫(SnS)與硒化錫(SnSe)之單晶，利用能量散佈儀確認元素成分比例符合。透過X光繞射、穿透式電子顯微鏡與拉曼散射光譜可確認兩者均為正交晶系(Orthor…
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本研究論文是以化學氣相傳導法利用碘 (I2) 為傳導劑成長鉬鎢輕摻雜之二硫化鉬鎢 (Mo1-xWxS2, 0 ≤ x ≤ 0.1; 0.9 ≤ x ≤ 1, Δx = 0.02) 系列層狀單晶半導體…
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本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport method，CVT）成長硒化銦系列晶體，目前成功成長出α-In2Se3層狀單晶, 之後進行晶體結構與光學特性分析。…
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本論文利用化學氣相傳導法（Chemical Vapor Transport, CVT）成長過渡金屬二硫屬化物（Transition Metal Dichalcogenides, TMDCs）之二硒化…
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本論文的研究重點在於利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport, CVT) 成長金屬鉍化硒代磷酸鹽之化合物 AgBiP2Se6和CuBiP2Se6，並探討其材料結構、光學…
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本論文利用化學氣相傳導法成功生長三硫化磷鐵和三硒化磷鐵晶體，皆為單晶層狀反鐵磁性材料，樣品表面呈金屬亮面且容易撕薄。首先利用能量散佈光譜儀確認晶體的成分比例為1:1:3與X射線光電子能譜儀確認所含之…