檢索結果：共28筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="化學機械拋光"
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本研究先建立室溫下不同體積濃度之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。我們將矽晶圓浸泡在常溫下不同體積濃度研磨液後,接著進行原子力顯微鏡實驗,計算得出浸泡室溫不同體積濃度…
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隨著科技的發展，大眾對於電子產品的需求越來越多樣化，其中具備可撓特性之電子產品是近年來的發展趨勢，為了使傳統的電子元件擁有可撓的功能，大多利用可撓性基板取代傳統硬基板，而因為白雲母(Muscovit…
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在現今半導體晶片製程中，為了增加效能採用多層的電路設計，使得各層電路之平坦化製程相對重要，因此在半導體製程中化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CM…
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化學機械平坦化 (Chemical-Mechanical Planarization/Polishing, CMP)為半導體製造製程之一，隨著線寬持續往奈米等級發展，每層電路的平坦度變的格外重要，C…
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化學機械拋光是半導體製程中可達到全域性平坦化的一項重要技術，但是化學機械研磨應用於銅導線與以Low-k材料為主的介電層之多層導線架構平坦化製程時，易造成殘留應力、刮痕與平坦化後後續清洗等都是需要克服…
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本研究主要是探討化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP )加工硬脆材料－藍寶石晶圓(Sapphire wafer)基板的加工機制，利用含有 的拋光液與基板…
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半導體元件是由數層不同的厚度且材質互異的薄膜所構成，鎢薄膜做為柱塞(Plug)的用途，化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是半導體製程中全面平坦化(G…
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本論文主要研究發展出一套產品的創研流程，將群組的概念套用於QFD及TRIZ中，對品質屋及技術衝突矩陣進行改造，再將兩者銜接合併成一完整之研發流程。 以補償式化學機械拋光為載具，作為進行創新研發之案例…
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摘要 本文旨在建立結合分子靜力學與變形理論，而提出分子靜力學是以莫氏力建立模擬系統，模擬CMP粒子的加工行為。本文對奈米加工參數設定方面，是利用六方最密排列的鑽石研磨粒切削完美面心立方體銅，應用二…
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本研究建立不同研磨液溫度，不同研磨液體積濃度及不同研磨液研磨顆粒直徑之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。並且先將矽晶圓浸泡在不同研磨液溫度下的不同體積濃度研磨液後，接著進行原…