檢索結果：共73筆資料 檢索策略： cadvisor.raw="趙良君"
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本研究提出了一種整合式陽極層離子源離子束濺鍍模組(Integrated Anode Layer Ion Source Ion Beam Sputtering Module, IAIBS)，並建立粒子…
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本論文使用化學氣相傳導法(Chemical vapor transport, CVT)成長二硫化鉬(Molybdenum disulfide, MoS2)以及二硒化鎢(Tungsten disele…
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本研究成功利用陽極層離子源之反應式離子束濺鍍沉積氧化鈷與氧化鈷銅薄膜，薄膜分別於製程溫度150℃與300℃下以不同氧氣流量比沉積於矽基板與石英基板上，實驗結果顯示，於150℃下沉積之薄膜皆屬非晶薄膜…
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本實驗設計並製造一種利用陽極層離子源的離子束濺鍍模組。此模組將一倒置的環形陽極層離子源與濺鍍靶材做結合，以減少所需的真空腔體。利用此離子束濺鍍模組將氧化銀沉積在石英基板上。研究結果顯示，銀僅在氧氣分…
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本實驗首先利用熱氧化法400˚C製備出氧化銅奈米線，接著以熱蒸鍍法將氧化鋅沉積到氧化銅奈米線上，形成異質結構，經過不同的退火時間，探討其光伏特性的應用。在FESEM的結果顯示出，氧化鋅將氧化銅奈米線…
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本論文利用化學氣相傳導法成長出硫化錫(SnS)與硒化錫(SnSe)之單晶，利用能量散佈儀確認元素成分比例符合。透過X光繞射、穿透式電子顯微鏡與拉曼散射光譜可確認兩者均為正交晶系(Orthor…
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本論文主要探討以化學氣相傳導法(CVT)所成長的六方晶系(2H) 二硒化鎢(WSe2)層狀半導體之奈米結構電傳輸特性。使用熱探針與的場效應電晶體(FET)量測法，確認此二硒化鎢單晶為P型半導體。並利…
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本研究使用反應式離子束濺鍍法沉積氧化鈷與氧化鈷摻銅薄膜，改變氧氣/氬氧的比例(Opf=O2/(Ar+O2)及製程溫度(150°C,300°C)，探討不同製程條件下對氧化鈷與氧化鈷摻銅薄膜之影響。實驗…
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本研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2及玻璃基板上以三種氬氧氣體比例在基板溫度300C下沉積氧化銅及摻鋁氧化銅薄膜，探討氣體流量及摻鋁濃度(0~10 at.%)對所沉積薄膜之影響。研究結果顯示當…