檢索結果：共70筆資料 檢索策略： cadvisor.raw="李奎毅"
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本論文使用化學氣相傳導法(Chemical vapor transport, CVT)成長二硫化鉬(Molybdenum disulfide, MoS2)以及二硒化鎢(Tungsten disele…
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本論文主要研究的晶體材料可分為兩類，其一類是二維有機無機混成鹵化鈣鈦礦結構，使用緩速蒸發恆溫溶液生長技術成長，藉由控制無機層的層數(n)可改變其吸收與放光的波長位置，n越大則吸收與放光波長越往…
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本實驗以矽基板做為基底在上方成長奈米碳管束陣列，並以奈米碳管束陣列為模板披覆二氧化鈦做為電化學電容器的電極材料。奈米碳管有高導電性、高化學穩定性與高比表面積之特性，利用氣相沉積法成長奈米碳管束陣…
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本論文利用化學氣相沉積法成長大面積的n型二硫化鉬，透過拉曼光譜儀、光激發螢光與原子力顯微鏡進行分析，結果顯示此二硫化鉬薄膜為單層直接能隙的半導體. 然而氧電漿處理為最直接且能有效的改變二硫化鉬半…
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本論文利用氧氣吸附於石墨烯表面造成其內部之載子濃度改變來獲得p型半導體特性的石墨烯。實驗中，利用熱化學氣相沉積法製作石墨烯，並利用氮電漿對石墨稀進行摻雜，以C-N的鍵結讓石墨烯的半導體特性由p型轉變…
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本論文使用兩種不同的二維材料之過渡金屬硫屬化合物MoS2與WSe2做異質接面的結合並進行探討其接面特性. 本論文以熱化學氣相沉積法方式, 利用固定比例的三氧化鎢與硒粉末, 三氧化鉬與硫粉末成長WSe…
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石墨烯為原子級二維薄膜，擁有高比表面積及高載子遷移率等特性，可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜，因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…