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    1

    鎵的單硫屬化合物層狀半導體GaTe1-xSex (0≦x≦1)與GaTe1-xSx (0≦x≦1)之晶體成長、結構與光學特性研究
    • 應用科技研究所 /111/ 博士
    • 研究生: 露維亞 指導教授: 何清華
    • none
    • 點閱:337下載:0
    • 全文公開日期 2028/07/28 (校內網路)
    • 全文公開日期 2028/07/28 (校外網路)
    • 全文公開日期 2026/07/28 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    2

    硒化鍺與碲化鎵之晶體成長及其非均向物理特性研究
    • 應用科技研究所 /107/ 碩士
    • 研究生: 邱每嬋 指導教授: 何清華
    • 本論文使用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport, CVT)並以碘(I2)作為傳導劑,成長硒化鍺(GeSe)與碲化鎵(GaTe)層狀半導體。針對此晶體進行能量散射光譜儀…
    • 點閱:409下載:0
    • 全文公開日期 2024/07/29 (校內網路)
    • 全文公開日期 2027/07/29 (校外網路)
    • 全文公開日期 2027/07/29 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    3

    高導電度層狀硫屬化合物之晶體成長與特性研究
    • 應用科技研究所 /107/ 碩士
    • 研究生: 彭子恩 指導教授: 何清華
    • 本論文將研究高導電度硫屬化合物之傳輸特性,首先,我們使用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport,CVT)並以碘作為傳導劑成長二硫化鈦(TiS2)與二硒化鈦(TiSe…
    • 點閱:582下載:0
    • 全文公開日期 2024/07/26 (校內網路)
    • 全文公開日期 2024/07/26 (校外網路)
    • 全文公開日期 2024/07/26 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    4

    二維有機無機混成鹵化鈣鈦礦結構以及 層狀硫屬鉿化物之光學特性研究
    • 電子工程系 /107/ 碩士
    • 研究生: 楊凱迪 指導教授: 何清華 李奎毅
    • 本論文主要研究的晶體材料可分為兩類,其一類是二維有機無機混成鹵化鈣鈦礦結構,使用緩速蒸發恆溫溶液生長技術成長,藉由控制無機層的層數(n)可改變其吸收與放光的波長位置,n越大則吸收與放光波長越往…
    • 點閱:309下載:0
    • 全文公開日期 2024/07/26 (校內網路)
    • 全文公開日期 2024/07/26 (校外網路)
    • 全文公開日期 2024/07/26 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    5

    含碘化合物半導體之光學特性研究
    • 光電工程研究所 /108/ 碩士
    • 研究生: 李宗岳 指導教授: 何清華 李奎毅
    • 點閱:312下載:0
    • 全文公開日期 2025/08/18 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/08/18 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/08/18 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    6

    銅基Ⅰ-Ⅲ-Ⅴ-Ⅵ族與鉈基硒化鎵化合物半導體之單晶成長與特性研究
    • 應用科技研究所 /109/ 碩士
    • 研究生: 蕭得軒 指導教授: 何清華
    • 本論文探討四元及三元硒化合物半導體之單晶成長與特性研究,晶體成長方式使用化學氣相傳導法以碘做為傳導劑成長CuInP2Se6 以及TlGaSe2 半導體單晶,並藉由電子顯微鏡(Scanning …
    • 點閱:337下載:0
    • 全文公開日期 2026/08/18 (校內網路)
    • 全文公開日期 2026/08/18 (校外網路)
    • 全文公開日期 2026/08/18 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    7

    硒化銦摻鎵層狀半導體之光學特性研究
    • 應用科技研究所 /108/ 碩士
    • 研究生: 柯彥竹 指導教授: 何清華
    • 點閱:181下載:0
    • 全文公開日期 2025/08/18 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/08/18 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/08/18 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    8

    II-VI和III-VI族寬能隙硫屬化合物半導體之單晶成長與特性研究
    • 應用科技研究所 /106/ 博士
    • 研究生: 林旻翰 指導教授: 何清華
    • 本論文以化學氣相傳導法成功成長II-VI族和III-VI族硫屬化合物半導體,分別為相三硒化二銦、三硫化二鎵和硫化鋅氧系列晶體,然後對晶體進行結構分析,且由本實驗室光電量測對其特性加以量測探討。藉由…
    • 點閱:533下載:2

    9

    硫化錫與硒化錫之晶體成長與光學特性研究
    • 電子工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 林文堯 指導教授: 何清華 趙良君
    • 本論文利用化學氣相傳導法成長出硫化錫(SnS)與硒化錫(SnSe)之單晶,利用能量散佈儀確認元素成分比例符合。透過X光繞射、穿透式電子顯微鏡與拉曼散射光譜可確認兩者均為正交晶系(Orthor…
    • 點閱:299下載:3

    10

    鉍硫化物之單晶成長與特性研究
    • 應用科技研究所 /104/ 碩士
    • 研究生: 陳雅涵 指導教授: 何清華
    • 本論文利用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport method,CVT)成長硫化鉍系列晶體,藉由使用不同傳導劑三氯化碘或碘成功成長出Bi2S3和(Bi(Bi2S3)9I3)…
    • 點閱:595下載:1