檢索結果:共9筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="擴散阻障層" and ckeyword.raw="擴散阻障層"
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本研究利用常壓電漿噴射束系統(Atmospheric Pressure Plasma Jet, APPJ)製備氧化釓摻雜氧化鈰(Gd2O3-doped CeO2, GDC)擴散阻障層(Dif…
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本論文主要研究方向為利用氧化物(鈧酸鈥,HoScOx)非晶薄膜作為擴散阻障層以提升銅鍍層在矽上的高溫穩定性質。結果顯示HoScOx(x=3~4)具有高溫穩定性且為非晶薄膜,其結晶溫度高達900℃以上…
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以RF濺鍍來成長TaNx薄膜並觀察N2/Ar流量比對TaNx薄膜之沈積速率、N/Ta原子比、電阻率及結晶結構之影響。實驗結果顯示TaNx薄膜的沈積速率會隨著N2/Ar流量比的增加而下降;TaNx薄膜…
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隨著科技日新月異,積體電路日漸變小以及隨著電子元件尺寸的微小化,封裝技術中三維整合電路利用晶體的堆疊方式達到封裝尺寸微小化之目的。而製程中必須透過Sn銲料將電子元件以及待組裝之基板互相連接在一起,在…
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本研究主要以反應性濺鍍來成長NbNx薄膜於銅-矽基材多層膜系統中擴散阻障層失效機制的研究。觀察N2/Ar流量比對NbNx薄膜之沈積速率、N/Nb原子比、結晶結構、電阻率及表面型態之影響。實驗結果顯示…
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在高操作溫度下,熱電材料和金屬接觸之間因產生相互擴散而使熱電模組中接合點的熱穩定性衰退,故此問題需要加以解決,以便將熱電技術應用於永續能源領域。在本研究中,我們利用金屬玻璃鍍層(TFMG)的無晶界結…
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以不鏽鋼(SS)作為基板的可撓式銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池由於其有前景的應用潛力,已引起相當大的關注。但其有害的基板成分在高溫製程中會擴散進入CIGS吸收層,限制了它的性能。薄膜金屬玻璃(TFM…
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本論文分別就兩個主題進行研究討論:一為反應性濺鍍氮化鋯薄膜及其作為銅導線之阻障之研究,另一為以鎳電極系統作為生物感測器。 有關於擴散阻障層的部分,VLSL技術的發展,常利用銅作為內接線材料,但在低溫…
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銀-銅-錫三元合金以及銅-錫二元合金是市面上熱門的無鉛銲料,而金常用於PCB中的電鍍材料及基層材料,也是覆晶(flip chip)製程中主要的凸塊下金屬化(under bump metallurgy…