檢索結果：共8筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="場效電晶體" and ckeyword.raw="場效電晶體"
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本研究主要分為三部份，首先以Cu(B)薄膜作為硼摻雜來源，透過快速升溫化學氣相沉積系統(Rapid thermal chemical vapor deposition system, RTCVD)來…
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在此篇研究中，利用熱蒸鍍法經由VLS及VS成長機制在爐管內擺放鍍上金膜的矽基板上成長氧化鋅奈米線，而氧化鋅粉混合碳粉當作前驅物。藉由控制成長溫度、前驅物溫度、成長壓力、前驅物的量、成長時間、成長位置…
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本研究主要為銅-鍺合金的奈米線材料的製程、材料微結構分析和電性量測表現。分為兩大主題，Cu3Ge和Cu3Ge/Ge材料系統。第一部分為金屬線的Cu3Ge，在Cu3Ge的系統中在熔點以下和熔點…
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軟性電子元件因其應用領域，需要整體結構皆具備可拉伸、撓曲之特性。目前常見應用於軟性電子元件之有機材料，載子遷移率相對於傳統固態元件性能較差。因此發展具備拉伸特性且高載子遷移率的材料是目前研究的趨勢。…
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本研究中，使用流化床反應器設備來製備出WS2無機奈米管。利用化學氣相沉積法來合成WS2奈米管會受到很多因素影響，包含了不同的H2S流速、不同的反應溫度，以及添加石英載台來改善反應爐內部流場，使氣流在…
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隨者電子產業的進步，傳統型金氧半電晶體在微型化之後面臨一些可靠度問題，例如短通道效應、熱載子效應、閘極引起位障降低效應。穿隧型場效電晶體在高度微型化可以提供較小的短通道效應、小的熱載子效應以及降低閘…
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當傳統金氧半元件微縮化至深次微米製程,新的可靠性問題產生了。這其中包含了短通道效應、熱載子效應、閘極引起汲極漏電流。穿透式場效電晶體在高度微縮化時可以提供較小的短通道效應、小的熱載子效應、小的閘極引…
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