檢索結果:共3筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="化學氣相沉積法" and ckeyword.raw="石墨烯"
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本論文利用氧氣吸附於石墨烯表面造成其內部之載子濃度改變來獲得p型半導體特性的石墨烯。實驗中,利用熱化學氣相沉積法製作石墨烯,並利用氮電漿對石墨稀進行摻雜,以C-N的鍵結讓石墨烯的半導體特性由p型轉變…
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近年來,二維層狀材料因為其獨特的物理與化學特性而廣受關注,其中,過渡金屬硫化物已經在過去幾年中被探索,並且在光電領域中展現了優異的特性。在本實驗中,我們透過化學氣相沉積法分別於二氧化矽基板上成長n型…
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本研究以化學氣相沉積法,合成高品質石墨烯薄膜,並成功藉由石墨烯轉移支撐層作為鉬前驅物,直接成長二硫化鉬於石墨烯上,形成異質結構,應用於光催化二氧化碳還原。此成長方式和粉末作為前驅物的方法相比…