檢索結果:共7筆資料 檢索策略: cdept.raw="材料科學與工程系" and cdept.raw="材料科學與工程系" and ckeyword.raw="氮化鋁"
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這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層(AlN BL),可以在少層石墨烯(FLG)/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長的低溫AlN…
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本論文使用磁控式濺鍍法控制鉑金屬薄膜,利用濺鍍條件控制鉑電極的方向性做為氮化鋁薄膜成長的底電極基材。實驗的第一個部分是以矽基材與玻璃基材使用不同比例的氬氣與氮氣反應式濺鍍出氮化鋁薄膜。探討氮氣比例對…
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本研究主要以聚矽氮烷(polysilazane,PSZ) 包覆於氮化鋁(AlN)粉末表面,分別利用空氣(air)、氬氣(Ar)、氮氣(N2)和氨氣(NH3)不同氣體環境在700和1600 oC溫度下…
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本論文研究利用一步法合成製備有機可溶性聚醯亞胺 (PI-1 及 PI-2) ,以此為基材結合功能性無機材料並搭配各種低溫製程,製備功能性聚醯亞胺複合材料。本論文研究主要分為四部分。 本論文研究的第一…
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本研究主要係以不同體積含量之氮化硼及混摻入不同體積含量之氮化鋁為填充材,以2,2-Bis(3-amino-4-hydroxy-phenyl)hexafluoropropane與4,4’-Oxydip…
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本論文的研究方向主要在探討添加絕緣導熱、導電導熱填料於矽橡膠(Silicone rubber)中複合化及針對離子性高分子改質矽橡膠兩個部份,以探討絕緣導熱、導電導熱填料複合化及離子性高分子改質對…
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隨著電子應用不斷地發展,主要是通過改變設備的尺寸來實現設備速度的改善。然而,這也導致電子設備運行期間產生的熱能增加。由於熱能的積累,電子設備的穩定性和壽命將隨著其工作溫度的升高而受到影響。因此,為了…