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| 研究生： |
何清華 Qing-Hua He |
|---|---|
| 論文名稱： |
二硫化鐵之單晶成長與特性研究 |
| 指導教授： |
黃鶯聲
Ying-Sheng Huang |
| 口試委員: | none |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
電資學院 - 電子工程系 Department of Electronic and Computer Engineering |
| 論文出版年： | 2021 |
| 畢業學年度： | 80 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 126 |
| 中文關鍵詞： | 二硫化鐵 、單晶成長 、光電特性 、化學氣相傳導法 、晶格常數 、電阻率 、霍爾量測系統 |
| 相關次數： | 點閱：142 下載：0 |
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本論文主要是探討FeS 之單晶成長以及有關電特性與光電特性的量測與分析, 首先是
用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport Reaction Method)適當的考量長晶條
件來成長FeS 單晶, 并以X-Ray 繞射方法分析其結晶結構, 結果顯示FeS 之晶格常數
(Lattice constant)a=5.417 ,而此之后并用金相顯微鏡, 做單晶外貌之觀察并照相
。
為了對FeS 做電特性及光電特性之分析, 在電特性方面建立了半自動化的電阻率與霍
爾量測系統; 在光電特性方面建立了全自動量測的光導量測系統。
電特性的量測結果發現霍爾系數(Hall coefficient)對溫度的曲線有轉折之現象, 顯
示所成長之單晶在低溫下為P 型半導體, 而在室溫下為N 型半導體, 電阻率量測結果
顯示, 在低溫下電阻率至少在10 Ω-cm以上, 甚至高10 Ω-cm, 由此可看出單晶純度
相當高, 另外用電性量測方法得到室溫FeS 之間接能隙為0.73eV。
由光電特性量測曲線之結果顯示, 至少包含三種不同的躍遷(Transition)而產生三個
不同位置的結構, 而在室溫下由曲線利用η α(E -hν) 關系得到FeS 之間接能隙
為0.74eV和電特性的量測結果相當吻合。
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