檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "plasma-enhanced CVD".ekeyword (精準)
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本研究第一部分實驗係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技術,作為矽晶異質接合太陽電池背電場製作的應用。以此技術製備p型膜層的實驗結果顯示,非晶矽層與濺鍍鋁層接觸並經200℃熱處理1小…
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本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術,作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示,沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …
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本研究乃針對藍光氮化鎵發光二極體元件的p型氮化鎵透明導電接觸層提出一取代材質及製程,考慮現在工業製程所使用的氧化銦錫薄膜中稀有元素銦的價昂,提案改使用同為透明導電氧化物的摻鎵氧化鋅來取代氧化銦錫。同…