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  • 檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "p-type GaN".ekeyword (精準)


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    具p型氮化鎵埋入層之氮化鎵基底功率金氧半場效電晶體之研究
    • 電子工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 洪楷程 指導教授: 莊敏宏
    • 近年來,氮化鎵(GaN)以被廣泛研究,跟矽比起來有優良的材料特性。此外,在氮化鎵鋁(AlGaN)與氮化鎵的異質接面處發現了高密度的電子,研究其原因是由於自發性極化效應(Spontaneous Pol…
    • 點閱:260下載:3
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 2022/08/08 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    以電漿輔助化學氣相沉積法製備表面粗糙化的摻鎵氧化鋅薄膜
    • 化學工程系 /103/ 碩士
    • 研究生: 陳毅修 指導教授: 洪儒生
    • 本研究乃針對藍光氮化鎵發光二極體元件的p型氮化鎵透明導電接觸層提出一取代材質及製程,考慮現在工業製程所使用的氧化銦錫薄膜中稀有元素銦的價昂,提案改使用同為透明導電氧化物的摻鎵氧化鋅來取代氧化銦錫。同…
    • 點閱:351下載:3
    • 全文公開日期 2019/10/02 (校內網路)
    • 全文公開日期 2024/10/02 (校外網路)
    • 全文公開日期 2019/10/03 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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