檢索結果:共5筆資料 檢索策略: "p-n二極體".ckeyword (精準)
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…
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二維材料如石墨烯和過渡金屬硫化物等近幾年已成為近年來大家所研究的重點。石墨烯由一層的碳原子組成,擁有極佳的電學、化學、機械、熱學及光學性質。本質石墨烯在大氣中會吸附氧氣和水氣並呈現p型半導體的特性。…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶,製備出p型Zn摻雜…
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本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜,並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體,進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…
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本論文以RF反應式濺鍍法製備施體-受體共摻雜n型或p型的ZnSnGaN薄膜,並探討不同摻雜比例、濺鍍功率與沉積溫度對於薄膜品質、電性及光學性質之影響。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD…