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    1

    以二甲基聯胺與三乙基鎵有機金屬化學氣相沉積系統低溫成長氮化鎵一維奈米線之研究
    • 化學工程系 /96/ 碩士
    • 研究生: 賴韋達 指導教授: 洪儒生
    • 本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物-二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3)作為氮源先驅物,同時以分解溫度較低之鎵源-三乙基鎵(TEGa),來成長氮化鎵奈米線,期望以TEGa…
    • 點閱:286下載:0

    2

    晶圓上監控紫外線二極體發光功率之優化
    • 電子工程系 /110/ 碩士
    • 研究生: 邱郁霖 指導教授: 葉秉慧
    • 本論文使用商業紫外光發光二極體晶圓製作積體化UV LED與監控光偵測器元件,優化之前的設計。並聯多顆LED以加大光功率,並聯多顆MPD以加大監控響應率。在元件並聯前後分別去量測UV …
    • 點閱:159下載:3

    3

    以二乙基一氯鎵為鎵源先驅物的氮化鎵原子層磊晶之研究
    • 化學工程系 /94/ 碩士
    • 研究生: 林繼宏 指導教授: 洪儒生
    • 本研究利用原子層磊晶(ALE)技術合成氮化鎵(GaN)及氮化銦鎵(InxGa1-xN)三元混晶膜。以二乙基一氯鎵(DEGaCl)及氨氣(NH3)作為反應原料,並選用已成長氮化鎵的藍寶石磊晶片為基材,…
    • 點閱:271下載:0

    4

    三相交錯式耦合電感設計與研製
    • 電子工程系 /109/ 碩士
    • 研究生: 陳允彥 指導教授: 邱煌仁
    • 本論文討論在三相交錯式降壓轉換器中使用的耦合電感的優化。為實現高效率和高功率密度,轉換器使用氮化鎵開關元件,降低高頻操作下的開關損耗,原本使用三個獨立電感,優化為整合耦合電感來減少磁性元件的數量。並…
    • 點閱:241下載:26

    5

    以熱蒸發反應法於不同觸媒基板上成長氮化鎵一維奈米材料
    • 材料科學與工程系 /97/ 碩士
    • 研究生: 沈威廷 指導教授: 郭東昊
    • 近年來,發藍光的LED 已是目前最重要的光電元件,由於GaN材料製程上的進步,使得藍光GaN/GaInN 發光二極體研製成功,III族氮化物材料已經逐漸成為半導體領域中一顆耀眼的新星。III族氮化物…
    • 點閱:176下載:0

    6

    氮化鎵異質接面光電晶體的響應速度與光電特性量測
    • 電子工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 邱彥傑 指導教授: 葉秉慧
    • 本論文使用學長製作出的氮化鎵光電晶體光偵測器,量測出其暗電流(Dark current)、外部量子效應(EQE)、計算出響應率、響應時間、響應的雜訊以及不同光強度下的電壓訊號。量測的元件為n-p-i…
    • 點閱:307下載:2

    7

    圖騰柱無橋式功率因數修正器研製
    • 電機工程系 /106/ 碩士
    • 研究生: 曾柏翔 指導教授: 邱煌仁 劉益華
    • 本論文主要在研製一輸出功率1000瓦、輸入交流電壓90V至264V、輸出直流電壓400V之高效率、高功率密度綠能系統應用之電源轉換器。本論文採用無橋架構中的圖騰柱無橋式架構,利用氮化鎵高電子移動率電…
    • 點閱:366下載:17

    8

    高效率邊界導通模式之升壓型功率因數修正器研製
    • 電機工程系 /111/ 碩士
    • 研究生: 黃裕誠 指導教授: 郭明哲
    • 本論文研製一高效率邊界導通模式之升壓型功率因數修正器,經由系統架構動作推導和設計電路元件,運用軟體SIMetrix/SIMPLIS建置邊界導通模式之功率因數修正器之模型,驗證系統設計參數之可行性,並…
    • 點閱:246下載:10
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    9

    採用整合式變壓器實現400 V/48 V LLC串聯諧振轉換器之研製
    • 電子工程系 /111/ 碩士
    • 研究生: 張緯浩 指導教授: 邱煌仁
    • 本論文提出應用於資料中心的隔離型直流-直流轉換器。電路架構採用能夠在全負載範圍達到一次側開關零電壓切換(ZVS),二次側開關零電流切換(ZCS)的全橋LLC串聯諧振式轉換器,並使用寬能隙氮化鎵元件取…
    • 點閱:344下載:24

    10

    1 MHz 串聯諧振直流-直流轉換器
    • 電子工程系 /104/ 碩士
    • 研究生: 徐瑋志 指導教授: 邱煌仁 謝耀慶
    • 近年來因應商品需求,電源設計的功率密度要求越來越高,高頻化演變成一種趨勢,而氮化鎵半導體的出現,為高頻應用帶來新的突破。隨著氮化鎵技術穩定發展,元件可靠度也較以往高,對於不同需求的規格提供了更多選擇…
    • 點閱:1408下載:5
    • 全文公開日期 2021/08/14 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 2021/08/15 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)