檢索結果：共14筆資料 檢索策略： "epitaxy".ekeyword (精準)
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本論文建立了實用的光子調制光學自動量測系統, 并利用此系統量測了四個用molecu -lar-beam epitaxy(MBE)方法生長的In Ga As/GaAs 單量子井樣品, 每個樣品的In…
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本論文的主題分為四部分:(1)利用三甲基鎵(trimethylgallium，TMG)/氨氣(NH3)為反應先驅物以原子層磊晶法(ALE)合成氮化鎵(GaN)並對其成長行為做一整體性探討；(2)探討…
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4H碳化矽基板作為高功率半導體重要材料，表面的缺陷對後續元件品質有很大的影響，本研究探討基板材料中的碳包裹物缺陷對磊晶後的表面缺陷有何影響。材料選用6吋N-Type晶圓，在表面以微分干涉影像與光致發…
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本研究在濺鍍壓力為5 mTorr及載台溫度為250℃的條件下成功開發出矽膜濺鍍磊晶技術，其所需真空度為1.0×10-6 Torr。另外在檢測磊晶矽膜的品質部份，本研究以Raman、RHEED系統量測…
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本論文成功使用低溫濺鍍磊晶法成長矽薄膜並且應用於太陽電池元件製作，磊晶矽薄膜的部份在製程溫度為220℃與直流電源功率為100 W的條件下可得到最佳的矽膜品質，其有效復合速率(Recombinatio…
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本論文以直流磁控式濺鍍法實現矽/鍺膜同/異質磊晶，成功地在矽基板上達成矽膜和鍺膜的同異質磊晶成長，以及在鍺基板上之鍺膜同質磊晶。最後並以濺鍍磊晶成長矽膜於矽基板上之方式形成n+-p接面二極體元件。論…
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本研究已成長高品質氮化銦(InN)薄膜在氮化鎵(001)的基板上，利用高解離性的氮源(HN3)來當化學束磊晶技術來成長薄膜。成長薄膜特性分析儀器使用：高解析度場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、高…
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針對使用DC做為電源的Sputter在(100)方向的矽晶圓上所沉積的非晶矽薄膜，以高溫爐600°C的退火方式，在充滿氮氣的環境之下對非晶矽薄膜進行固態磊晶成長，並且分別以R-HEED(反射式高能電…
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摘要 由於石墨烯的單原子層高導電性、光學透明性、高機械強度以及可彎曲性，現今其被應用於光電元件、生物成像、化學感測器、光譜學和邏輯元件等領域。得益於石墨烯的良好載子遷移率、零能隙以及線性色散的能帶關…
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本論文利用光子調制反射光譜(PR)、壓電調制反射光譜(PzR)和光激螢光光譜(PL)來研究以氣態分子束磊晶法成長在GaAs基板上不同Sb成份之GaAs1-xSbx薄膜及其退火光學特性。由PzR、PR…