檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "chemical mechanical polishing (CMP)".ekeyword (精準)
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摘要 本文旨在建立結合分子靜力學與變形理論，而提出分子靜力學是以莫氏力建立模擬系統，模擬CMP粒子的加工行為。本文對奈米加工參數設定方面，是利用六方最密排列的鑽石研磨粒切削完美面心立方體銅，應用二…
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本研究主要是探討化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP )加工硬脆材料－藍寶石晶圓(Sapphire wafer)基板的加工機制，利用含有 的拋光液與基板…
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在化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/ Polishing, CMP)製程中，需要鑽石修整器來維持拋光墊表面之穩定性，而拋光墊表面形貌會直接影響…
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本論文主要研究發展出一套產品的創研流程，將群組的概念套用於QFD及TRIZ中，對品質屋及技術衝突矩陣進行改造，再將兩者銜接合併成一完整之研發流程。 以補償式化學機械拋光為載具，作為進行創新研發之案例…
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化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導體製造中最關鍵的製程且廣泛應用。了解拋光墊與晶圓接觸的機械相互作用以及晶圓表面的化學變化對於CMP製程的材料…
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本研究先建立室溫下不同體積濃度之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。我們將矽晶圓浸泡在常溫下不同體積濃度研磨液後,接著進行原子力顯微鏡實驗,計算得出浸泡室溫不同體積濃度…
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本研究目的為下壓力對於軟拋墊表面微突起接觸面積的影響與材料移除率預測模型應用於銅薄膜化學機械拋光製程。實際方法使用X-ray電腦斷層掃描儀進行軟拋墊的微觀形貌掃描，再透過三維分析軟體組建軟拋墊的微觀…
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本研究先建立不同研磨液體積濃度及不同研磨液研磨顆粒直徑之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。我們先將矽晶圓浸泡在常溫下不同體積濃度研磨液後,接著進行原子力顯微鏡實驗,計算得出浸…
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本研究建立不同研磨液溫度，不同研磨液體積濃度及不同研磨液研磨顆粒直徑之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。並且先將矽晶圓浸泡在不同研磨液溫度下的不同體積濃度研磨液後，接著進行原…