檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "Ting-Hua Lu".ecommittee (精準)
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氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMTs)在高功率操作下,傳統金屬電極與元件結構層間之電致遷移現象變得更為嚴重,電致遷移現象除了使電晶體源極與汲極之歐姆接觸電阻上升;也導致閘極產生漏電路徑,使電…
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這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層(AlN BL),可以在少層石墨烯(FLG)/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長的低溫AlN…