檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "Silicon carbide wafer".ekeyword (精準)
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單晶碳化矽(SiC)晶圓是眾所矚目的第三代半導體材料之一,其低漏電流特性、較高的熱傳導率、寬能隙(WBG)和耐化學性,廣泛應用於高功率及高電壓能量轉換裝置元件,然而碳化矽的硬度和脆性使其鑽石線鋸切割…
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隨著電子電力系統需求的規格逐年提升,碳化矽(Silicon Carbide, SiC)被視為未來高功率元件的理想材料,但因SiC本身的高硬度及高抗化學性,使其在化學機械拋光(Chemical Mec…
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碳化矽是製造高功率半導體元件之重要的寬能隙(WBG)半導體材料,然而在晶圓的製造與加工過程當中,容易使晶圓產生缺陷進而影響製成元件之性能,對於碳化矽或矽晶圓質量有負面的影響,因此需要晶圓檢測找出並定…