檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "Silicon Wafers".ekeyword (精準)
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飛秒雷射具有超短脈衝以及光能量密度極高的特性，且擁有特殊的光化學材料剝離機制。這些特性使其有別於一般雷射而有加工熱影響區小、加工尺寸精密度高、以及熱應力低所帶來的內部加工優勢。利用這些特點，本研究以…
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本篇論文旨在奈米金粒子薄膜於矽晶片上圖案化製程研究。論文中奈米金粒子(Au nanoparticles，AuNPs)使用兩相合成法(two phase method) 合成AuNPs；其二矽晶片經過…
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矽晶圓為製造半導體元件的關鍵基礎材料與太陽能製造用的矽基板不同的是，半導體用之矽晶圓經過線切割後，還需要經過蝕刻、拋光之加工，如何有效提供加工效率以及減少後續拋光製程之加工為本研究主要目的。本研究將…
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自遠古時期的銅鏡、玉石、珠寶的研磨拋光到目前次奈米等級的半導體晶圓鏡面拋光，機械式拋光有其一定程度之極限，因此化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)是目…
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本研究旨在研發電化學輔助固定式磨料研光製程(Electrochemical Assisted-Fixed Abrasive Lapping, ECA-FA Lapping)並應用於單晶矽晶圓之研光製…
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半導體產業為時下熱度最高之產業，而矽晶圓作為晶片之基底材料，同樣受到強烈的關注。本研究以「矽晶圓長晶技術」為主題，進行產業專利技術分析，並以全球五大專利權人，同時亦是全球五大矽晶圓材料供應商作為主要…
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本文應用計算化學反應層厚度理論方法及實驗，探討受研磨液影響之不同浸泡條件的單晶矽晶圓基板化學反應層厚度及在固定下壓力下不同浸泡條件的切削深度。本研究先運用原子力顯微鏡之實驗，得出未受研磨液浸泡的單晶…
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本研究建立不同研磨液溫度，不同研磨液體積濃度及不同研磨液研磨顆粒直徑之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。並且先將矽晶圓浸泡在不同研磨液溫度下的不同體積濃度研磨液後，接著進行原…