檢索結果：共58筆資料 檢索策略： "Si".ekeyword (精準)
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目前多晶矽薄膜橫向長晶製程參數研究，大多採用嘗試錯誤的方法，透過實驗室實際製程來對每一個參數進行操控，並以此來瞭解各個參數對長晶的影響。然而橫向長晶的影響參數眾多，因此這樣的方法耗力而且耗時。由於多…
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本文利用泛函密度理論(DFT)探討硫化氫(H2S)在Si(100)-c(4x2)表面與Ge/Si (100)-c(4x2)表面上的吸附和反應。在這次研究中，我們主要考慮四條可能的反應路徑，都是從分子…
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平面顯示器具有輕、薄、低功耗、廣視角及全彩化之特點，因此在應用上都具有相當大的潛力。在眾多不同種類的平面顯示器中，有機電激發光二極體顯示器因為具備有高亮度、視角廣、體積薄、省電、自發光..等優點，所…
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本實驗採熱蒸鍍法依序蒸鍍金鈹合金及金於矽(100)基材上，再利用傳統管狀爐及快速升降溫爐進行熱處理，以研究金/矽界面處的相結構與組成。 由XRD分析結果發現，我們得知在剛沉積及330℃合金化熱處理時…
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本論文主要探討矽基與矽鍺基光通訊與光互連接收與發射積體電路的設計與實現，內容包含了限幅放大器、突發式增益自動控制(AGC)轉阻放大器與光接收和發射元件。 第一部份為矽基CMOS轉阻放大器(TIA)與…
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近年來，複晶矽薄膜電晶體(Poly-Si TFTs)已經廣泛的被應用在不同的產品上，例如：靜態隨機處理記憶體(SRAMs)、光偵測放大器、掃描器、主動式矩陣液晶顯示器(AMLCDs)等，原因在於複晶…
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本論文主要研究方向為矽基發射與接收積體電路的設計，其中包含矽發光與檢光晶片、矽發光元件驅動電路、差動式轉阻放大器、限幅放大器以及單端輸入轉阻放大器。 首先，採用台積電 0.35μm 2P4M C…
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中文摘要 本論文利用電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD) 沉積矽薄膜於自組裝單分子薄膜(SAM)改質後的玻璃基板，並使用AFM、SEM觀察矽薄膜的表面形態受到不同形式（長鏈、短鏈、環狀）自…
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本論文主要探討光通訊發射與接收端的設計與實現，其中包含發光與檢光晶片、以及LED驅動電路。 第一部份利用CMOS製程設計檢光與發光晶片，使用製程為台積電(TSMC) 0.18μm CMOS …
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本文利用原子力顯微鏡之奈米氧化術，直接在單晶矽表面上產生局部陽極氧化(Tip-Induced Local Anodic Oxidation)，並以導電探針施加偏壓的方式來進行奈米氧化線及奈米仿圓形圖…